IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物(Oxide)面板技术的一种。IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在TFT行业中应用。
说到“IGZO TFT”大家可能是一头雾水，容易和IPS、AMOLED等面板种类产生混淆。实际上，IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写，它是一种薄膜电晶体技术，是指在TFT-LCD主动层之上，打上一层金属氧化物。因而和液晶分子的排列方式没有什么关系（与IPS、PVA等不是一个概念范畴），而是一项基于TFT驱动的改进技术，夏普使用它来提高自己在中小尺寸液晶面板上的竞争力。换而言之，即使是IPS液晶面板也可以同时采用IGZO TFT技术，两者之间并不矛盾。
TFT(Thin Film Transistor)是指薄膜场效应晶体管，TFT液晶屏幕就是指液晶面板上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，也就是曾经在手机领域上经常听到的“TFT屏幕”。常见的TFT驱动分类主要有a-Si TFT（非晶硅）、LTPS TFT（低温多晶硅），IGZO TFT也属于这一范畴。所以说到底，夏普这次所提出的IGZO面板，仍然是一种TFT液晶屏幕，其实IGZO TFT技术也可以使用在OLED面板上。
利用IGZO技术可以使显示屏功耗接近OLED，但成本更低，厚度也只比OLED只高出25%，且分辨率可以达到全高清（full HD）乃至超高清（Ultra Definition，分辨率4k*2k）级别程度。
IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20~30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。
国内新建的液晶面板生产线采用的是低温多晶硅技术，但是只要拥有专利技术，改造氧化物TFT生产线并不难，只是投资金额要更大一些。夏普IGZO面板制程虽然领先于业内1～2年，但是良品率仍然不高。IGZO要想形成量产规模，必须提升良品率才能发挥成本效益。可以说，短期内氧化物TFT不会取代低温多晶硅制程。