AOS已经推出最新650V H2系列IGBT，之前他们的MOSFET在市场上的应用也是非常广泛，现在我们在这里来谈谈他们的应用和差别。
1, 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。
场效应管的突出优点在于其极高的开关频率，其每秒钟可开关50万次以上，耐压一般在500V以上，耐温150℃（管芯），而且导通电阻，管子损耗低，是理想的开关器件，尤其适合在高频电路中作开关器件使用。
场效应管的工作电流较小，高的约100A低的一般在9A左右，限制了电路中的最大电流，而且由于场效应管的封装形式，使得其引脚的爬电距离（导电体到另一导电体间的表面距离）较小，在环境高压下容易被击穿，使得引脚间导电而损坏机器或危害人身安全。
2, IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.
igbt，其开关频率在20KHZ~30KHZ之间。但它可以通过大电流（100A以上），而且由于外封装引脚间距大，爬电距离大，能抵御环境高压的影响，安全可靠。但IGBT 也有一些自身的缺陷，如，闩锁现象，晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁。具体来说，产生这种缺陷的原因各不相同，但与器件的状态有密切关系。ICBT在集电极与发射极之间有—个寄生PNPN晶闸管。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。
3, 就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域，我们希望大家在不同的应用领域都有机会应用到AOS 的产品，在这个机会，介绍一下我们代理的AOS 产品。
650V H2系列IGBT開通性能
Alpha and Omega Semiconductor(AOS) (Nasdaq: AOSL)，是集開發設計與生產製造於一體的全球半導體供應商，擁有MOSFET，PIC，IGBT，IPM，TVS等多條產品線，為各種系統應用提供完整功率解決方案。
已经正式推出的高速開關器件(IGBT) AOK60B65H2AL。為獲得較低的開關損耗，AOK60B65H2AL專注於開關性能的設計，具有較快的關斷速度和較小的拖尾電流，適合於變頻焊機，功率因素校正(PFC)及各種高頻逆變器應用。
AOK60B65H2AL採用最新的AlphaIGBT技術，這種技術集合了傳統平面結構和溝槽結構的優點，使器件同時具有較低的導通壓降，較快的開關速度和強壯的可靠性。650V最小耐壓設計可以滿足大部分的應用設計需求，為設計留下足夠的耐壓裕量，從而提高了系統的可靠性。
該系列器件具有較好的di/dt 和 dv/dt控制能力，通過控制驅動電路即可在不顯著增加開關損耗的情況下滿足EMI的需求。
IGBT已被廣泛地應用於各種高頻逆變應用，由於對系統效率，可靠性及成本等各方面的考量，選擇一顆合適的IGBT已變得非常重要，AOK60B65H2AL的推出，為系統開發者提供了更多的靈活性。
650V H2-系列主要特點
高速的開關性能、易控的di/dt 和dv/dt 能力，方便EMI設計。
AOK60B650H2AL 技術指標
VCE = 650V、IC = 60A、VCE(SAT) = 1.95V @TJ = 25°C、EOFF = 1.17mJ @TJ = 25°C、tD(OFF) = 168ns, tF = 76ns @TJ = 25°C、TJ(max) = 150°C