由于GaN一些不错的性能，GaN功率器件越来越多的出现在大众视野中，先来看下GaN与硅相比，有哪些明显优势：
- GaN的介电击穿场强度比硅高10倍。
这意味在同样的电场强度中，GaN的厚度可以比Si高度薄10倍。由于Rdson的值与维持给定击穿电压所需的器件漂移区的长度成正比，因此更薄的GaN器件具有更低的Rdson，因此GaN比Si具有更低的导通损耗，从而也拥有更卓越的性能和散热。
- GaN的电子饱和速度比硅高2倍。
GaN器件比硅器件具有更高的开关速度，可实现更高的工作频率，减少开关振铃，从而减小EMI，提高效率。
- GaN的能带隙比硅高3倍。
由于GaN的电子从价带扩散到导带所需的能量比Si大很多（GaN带隙能量：3.4eV，Si带隙能量：1.1eV），因此GaN在较大的温度范围内提供稳定，具有更低的泄漏电流。
GaN与SiC区别：
GaN与SiC都属于宽带隙器件，但不能互换。SiC器件可承受更高电压，可达1700V，甚至更高，可用于PFC，LLC，drivers等应用。而GaN具有高电子迁移率，其关断时间几乎为0，因此可用于更高频率使用，从而可提高功率密度，缩小电源体积，可用于SMPS应用中。
ON Semiconductor已开发一系列GaN产品及gate driver。下图为ON Semiconductor的GaN器件的roadmap。
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