日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，公司已扩充其T55系列vPolyTan™表面贴装聚合物钽模塑片式电容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19) 尺寸器件。
日前发布的Vishay Polytech电容器高度比标准V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1 mm，提高了封装密度，可用于设计更薄的成品。这款器件适用于计算机、服务器、网络基础设施设备、固态硬盘和无线收发器的电源管理、电池解耦和储能。
T55系列的外形尺寸为紧凑型J、P、A、B、T(低高度B，最高1.2mm)、D、V和Z，电容范围为3.3 µF-680 µF，额定电压2.5V-63V，电容公差为±20%。电容器在+25 °C条件下具有500mΩ到7mΩ超低ESR，这得益于聚合物阴极，其性能远优于采用二氧化锰材料的器件。高达1000 µF电容值和低至6 mW的ESR值器件正在开发中。
电容工作温度范围为-55 °C至+105 °C，具有高达5.66 A IRMS的优异纹波电流等级，其低内阻可提高充放电特性。T55系列电容器采用无铅 (Pb) 端接，符合RoHS、无卤素和Vishay绿色标准。器件可使用高速自动拾放设备进行贴装，潮湿敏感度等级 (MSL) 为3级。
T55系列Z外形尺寸电容器现可提供样品并已实现量产，供货周期为12到14周。
钽电容优越性，爱不离手
钽电容的工作温度范围宽、温度特性稳定、比容大、具有独特的自愈特性，能满足长期工作的稳定性。钽电容经常被应用于大容量滤波的地方，像CPU插槽附近就看到钽电容的身影，多与陶瓷电容，电解电容配合使用或应用于电压、电流不大的地方。
适合钽电容的频率区间为100KHz--800KHz。
钽电容的弱点，恨铁不成钢
看完钽电容的优势之后，我们再来看看它有哪些致命弱点。
二氧化锰钽电容的关键成分是Ta2O5，受热后应力不稳定，抗浪涌电压和浪涌电流能力都较差，且失效的模式为短路（易引起高温、火灾），这也是很多电路设计全面杜绝二氧化锰钽电容的理由。
另外，使用二氧化锰片式钽电对滤波电路中的开关浪涌脉冲非常敏感，如果不能大幅度降额使用，开机和关机时的电流和电压脉冲容易把电容器的介质层击穿，从而造成电容器失效。
为了保证片式钽电容器具有更好的频率特性和安全性，采用一种导电高分子材料PEDT[聚噻吩]来替代二氧化锰作为片式钽电容器的阴极，我们也叫聚合物POLYMER钽电容。
由于导电高分子材料的电阻率要比二氧化锰半导体低几个数量级，因此片式钽电容器的等效串联电阻（ESR）得到大幅度降低，最低可达几毫欧。同时，使得片式钽电容器的频率特性得到较大的改善，频率范围大幅度增加。
在开关电路中，高功率脉冲会导致电介质层晶体在电场压力下出现微观位移。由于作为阴极的导电高分子材料具有有机物的特性，柔软且覆盖完整，不会像二氧化锰固体那样与晶体产生错位挤压而导致晶体物理结构损坏而击穿。
所以，使用导电高分子材料制造阴极的片式钽电容器对电路中存在的浪涌脉冲呈现出非常强的钝感现象。即使是频繁的脉冲也不能破坏电容器的电介质层。实际使用时，不需要大幅降额就可以具有非常高的安全性。
由于高分子材料的分子链大且完整，因此生产结束的钽电容器电介质层表面会均匀覆盖一层足够厚度的聚噻吩材料。此材料可以把易氧化燃烧的金属钽与富含氧的空气隔开。当出现意外的击穿现象时，不会出现快速氧化导致的燃烧和爆炸现象，不会引发火灾和二次击穿，具有出色的安全性和高可靠性。
综合比较，聚合物POLYMER钽电容，对比普通二氧化锰钽电容的优点如下：
1.具有极低的ESR和较低的ESL，可使用在频率更高的滤波电路。
2.意外击穿时不燃烧不爆炸，不会引发火灾和二次击穿效应，安全性优良。
3.使用在低阻抗的开关电源电路，对浪涌电流和电压不敏感，只需要降额10-20%使用，安全性高，失效率更低。
4.内阻低，具有更高的耐纹波能力，在进行滤波和大功率放电时产生的热量大幅度降低，滤波效果更好，放电波型更容易符合技术要求。
5.可靠性与二氧化锰做阴极的片式钽电容器相比，高一个数量级。
6.在高纹波的滤波电路和大功率高频率放电电路中使用，不需要大幅度降额。
polymer钽电容取代二氧化锰钽电容似乎是一个难以阻挡的趋势。
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