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精彩问答_大大通/友尚/ON 安森美半导体PD快充技术应用与电源设计技术沟通交流_2021.3.24

关键字 :ON，快充技术，GaN，CP1342，NCP13992，电源
2021年3月24日举办的_大大通/友尚/ON 安森美半导体PD快充技术应用与电源设计技术沟通交流 在线研讨会

基于安森美高效高功率密度 USB PD 快充 AC-DC 电源方案 和 65W GaN 1A1C Flyback 电源适配器方案 两大主题内容线上研讨会，迎来了 600+ 观众报名，并留下了许多精彩的问答。
看视频回放+课件下载   >>>由此去
 今天会讲 100WGaN 中 NCP1342AMDCDAD1R2G 应用么？
 答: Yes，也会针对 65w 实际案例作分享。
 安森美的方案能做到多少W？
 答: 200W。
 讲义内容会后能提供吗？
 答: 可以，后续登录大大通获取。
 PD 快充技术的原理是什么？在实现方面有什么难点？
 答: NCP1342 比较适合做 65w。
 请问想做双路 c 口均支持 65w 的方案，有哪些需要注意的？
 答: PCBlayout 要特别留意。
 安森美方案的尺寸对比竞争对手能减小多少？
 答: QRPWMIC 搭配 GaNTransistor。
 有效抑制纹波的诀窍有哪些？在客户没有要求的情况下，一般纹波是按多少来定义的？
 答: 用 ONNCP1342QR 模式，驱动频率最高可达 500K；PCBlayout 及滤波电容、电感的设计，通常依照客户的规格来决定。
 安森美半导体 PD 快充技术有什么优势？
 答: 用 ONNCP1342QR 模式，驱动频率最高可达 500K。
 请问安森美有车载 USBPD 的应用方案吗？
 答:有的，请登录大大通查找。
 安森美半导体 PD 快充，是否适用于汽车行业？
 答:目前只 Focus 在 AC-DC 方案为主。
 安森美半导体 PD 快充，是否有 Demo 板？如有，如何购买？
 答:有，可透过大大购平台购买。
 芯片可以做恒压恒流吗？
 答:可以做恒压及过流保护。
 LLC 和 QR 拓扑
 答:NCP1342 QR 模式，NCP13992 LLC 模式。
 如果要 10~100KW 有什么建议？
 答:LLC 主推 NCP1616+NCP13992+NCP4318; QR 主推 NCP1342+NCP4306。
 有无线快充方案吗？
 答: 目前没有。
 开关频率的提高，是否和 EMI 变差有必然关系？
 答: 有的。
 请问有参考线路吗？
 答: 回到大大通，有相关方案。
 快充效率如何？
 答: 92%左右。
 目前 ONSEMI 的驱动最大可提供到多少W？
 答: 92W。
 PD 效率能到多少？
 答: 92%。
 AC-DC 方案的 AC 是指 100~250V？
 答: 交流输入。
 安森美目前有 PD 与 QC 两种协议整合在一起的方案吗？
 答: 65W 后级 PD 协议 IC 及 DC-DC 可搭配 ismartwaresolution。
 反激电路需要过 UL 认证，如何选择？
 答:拓朴架构决定后，需要透过抑制元件及 PCBlayout 解决。
 官网是什么?如何联系？
 答: 大大通，请登陆大大通留言或提问。
 65wPD 的在 220V/110V 待机功耗是多少，是否符合能六？
 答: 小于 75mW，能够过能效 6。
 请教接近满载、接近空载，在性能稳定方面有哪些注意或问题点？
 答: 空载须注意效率，接近满载须注意动态响应。
 对充电终端有过压过流保护吗？
 答: 有。
 目前配套使用的 GaN 管子的开通关断损耗大概多少 uj？
 答: 65W~200WPD 方案。
 市面上有 200W 可配合的 500Khz 的变压器吗？
 答: 需要定做。
 有哪些解决方案？
 答: NCP1342，NCP13992方案。
 130W2C2A 推荐 NCP1616+NCP13992+NCP4318 有提供参考线路吗？
 答: 直接搜寻大大通。
 有哪些成功案例？
 答: 65W~200WPD方案。
 是要操作 dcm 还是 ccm 会有影响？
 答: 根据功率需求，有效率影响。
 PPT 能否分享？
 答: 可以，在大大通可获取，https://www.wpgdadatong.com
 burnin 电压可以调整吗？
 答: 可以。
 USBPD 快充有哪些特证吗？
 答: 透过协定会自动调整输出电压。
 安森美是否有整体方案提供？
 答: 有的。
 第 6 个谷底效率会较差 ？
 答: 不会的。
 在 100WGaN 方案中，用 NCP1342 的话，有什么协议 IC 可以推荐么？
 答: 珠海智融、伟全。
 是否支持软启动？
 答: 支持。
 可以试用吗？
 答: 可以向我们 sales 申请。
 NCP1342 设置有几个谷底侦测？
 答: 6个。
 相当于传统快充，PD 快充有哪些优势？
 答: 充电更快。
 无线快充...距离限制是多少？
 答: 无线快充的距离取决于方案及拓朴。
 选择 GaN 用于高密度电源的好处？
 答: 可以缩小体积。
 NCP1342 最大支持的工作频率？
 答: 500K。
 快速启动时间能做到多少 ms?
 答: 高达 3.5mAStartUpCurrentSourced 可以缩短启动时间。
 操作 dcmccm 都可以吗？
 答:可以自动调整输出电压。
 PD 协议的技术优势有那些？
 答:可以自动调整输出电压。
 软启动时长配置？需要匹配 RC 电路吗？
 答: 一般不需要，看需求。
 效率最高 92%，能再高吗？
 答: 目前暂时只能到92%。
 PD 接口内部电路有哪些保护措施？
 答: 过压、过流、欠压。
 低压重载建议 ccm 或 dcm
 答: ccm。
 想请问一下，目前 APPLE 的 20W 快充，是使用哪家的驱动？
 答: 之前有使用 Fairchild 方案。
 ONPD demo 板有多大功率可以提供？
 答: 目前 65W，180W 正在制作
 NCP1342 比较适合 PD 应用的原因？
 答: QR 模式，频率快。
 

请问，该如何申请 DEMO BOARD

 答: 大大通联系。
 NCP1342 其最大驱动能力是多少，支持多大功率？
 答: 因拓朴架构限制，建议 100W 以下。
 有 28V？
 答: 目前没有。
 NCP1342 如何适应负载电压的不同？
 答: NCP1342 只适合固定 21v~22voutput，NCP1345 才适合 5v~20voutputregulation。
 demo 板的设计传导和骚扰余量多大?
 答: 目前我们 demo 板余量是 6dB。
 资料有地方下载吗？
 答: 大大通首页，登陆即可下载。
 RCD 的设计方法和一班电源电路一样吗?
 答: 是的。
 USPPD 的 IC 在扇热方面有什么主意点？
 答: 透过板子散热
 供货期多久？
 答: 大大通联系相应业务。
 安森美半导体 PD 快充，有在工控行业的应用吗？
 答: NCP1342 也可以搭配 SF3FASTversion650V MOSFET 做工控应用。
 mosfet 如何选择？
 答: 根据应用电压，导通电流，通态阻抗，反向恢复时间等等选择。
 LDO 输出 NOISEripper 过大，跟 ldo 本体哪些因素有关？
 答: PSRR。
 NCP1342 需要外加驱动 IC 来驱动 MOS 吗？
 答:驱动 MOS 不用，GAN 需要电容分压。
 有哪些优势？
 答: 主要为工作频率可以做到200KHz以上。
 电源设计主要是完成那些功能？
 答: 实现电压电流转变为需要的形式。
 能支持多种电压电流的组合吗？
 答: 能支持多种电压组合。
 采用 NCP1342 制作 100W 充电器时对变压器有何特殊要求？谢谢！
 答: 按工作频率设计即可。
 NCP1342 的频率抖动是否会影响谷底侦测的稳定性，如何来保证，设计原理是什么?
 答: 不致于影响，芯片内部会确保侦测正确。
 65WGaN 电源适配器方案的效率有多高？功耗怎么样？
 答: 0.92。
 GaN？
 答: 是的，目前我们 65W demo 搭配的是 GaN。
 如何选型?
 答: 依照规格设计器件。
 哪种 packagetype?
 答: NCP1342 是 so8 封装。
 质量怎么样?
 答: 目前是主流方案。
 有哪些设计经验?
 答: 65WUSB-PD 的设计经验
 如何选择 GaN 用于高密度电源？
 答: 要使电源高密度，频率需要做高，GaN 可以满足频率需求
 有源钳位是指？
 答: 指通过 MOS 替代 RCD 电路来钳制 MOS 的关闭时的电压。
 请问刚刚反方向的自适应电流怎么产生的?
 答:向我们确认。
 请帮忙推荐 65W 的成熟应用方案，最重要的是：供货要有保证！
 答:NCP1342+NCP4306。
 设计时如何避免产生电源串音(crosstalk)
 答: 可透过 PCBlayout 改善。
 可以申请 LAYOUTGUIDE
 答:  可以透过大大通平台申请。
 core 选哪总类型比较好？
 答: 绕线视窗较大为佳。
 NCP4306 可以摆 HIGHSIDE 吗?
 答:  不建议使用。
 USBPD 快充的设计挑战有哪些？
 答: 温升，EMI，效率。
 USBPD 快充的发展趋势是什么？
 答: 高功率密度及多协定支持。
 应用方案是成熟的吗？
 答: 是成熟的。
 有源钳位需要单独配置替代 RCD 电路的 MOS 管的驱动吗？
 答: 需要。
 请问：对于氮化镓充电器，同步整流有何特殊要求？
 答: 最好有负电流侦测功能，以避免SRMOSFET与MainMOSFET产生shootthrough。
 如何应用主流的安森美半导体电源控制晶片来设计 GaN 电源适配器?
 答: 可以参考待会 65WGaN 方案介绍。
 使用 130W 以上使用 LLC 要如何输出变压符合 typeC3-21V 的规范?
 答:  可使用 Buck 调整。
 工作温度有限制在几度？
 答: 建议 GaN 的温度要低于 90~100 度C，以保持其低 Rds(on)值。
 今天介绍的方案的 demo 都是通过了实验室环境试验等验证的吗？
 答: 基本的电器特性是符合的。
 Onsemi 可有 100WGaNUSBPD 充电器参考设计？
 答: 尚未 Released。
 qrmode 在不同谷底有不同意义？
 答: 效率会不同。
 采用氮化镓器件后只是氮化镓器件提高了功率密度，请问：与之配套的无源器件如何节省体积？
 答: 工作频率提高了，相应的高频变压器体积也减小。
 安森美半导体在电源控制晶片领域具有哪些强大的优势。
 答: 可靠性高。
 安森美半导体 PD 快充技术，支持哪些快充协议?
 答:  PD3.0、PPS、QC、QC4.0+、BC1.2。
 Type-CPD 电源有什么特点优势？

 答: 高功率密度，多电压输出。
 供货不会将来受到国际局势的影响吧？
 答: Easydrive 就行了。
 推动 GaN 功率半导体开关高速切换的重要关键技术是什么？
 答: PCBlayout。
 高频使用变压器中的铜线和三层线径有建议用多股绞线还是一般单股线径？
 答: 多股绞线。
 有提供测试产品吗。
 答: 可提供 demo 测试。
 COST 是否有优势？
 答: NCP1342 的性能表现优异，性价比高。
 有已实践于市场的产品提供惨考吗？
 答:  有的，充电头网站都有展示与拆解，可以参考。
 散热部分需要考虑？在高压高电流高瓦数之下
 答: 需要的。
 都有过苹果的认证？
 答:  ismartware 有支持 APPLE2.4A
 目前有甚么品牌采用安森美方案？
 答: 目前是主流方案，大部分都有用 NCP1342，特别是使用 GaN 方案。
 走线有阻抗限制吗？
 答: 没有阻抗限制，原则上越短越好，以降低器件寄生效应。
 GaN 驱动要求？
 答: 驱动部分电压不同，需要做处理。
 有源钳位需要单独配置替代 RCD 电路的 MOS 管的驱动吗？
 答: 需要。
 请问现在 GaN 充电器其目前的趋势么？
 答: 高功率密度。
 安森美的 GaN，是否有适用于的汽车电子使用的产品？
 答: NCP1342，NCP4306 未通过 AECQ101Qualified。
 如何解决散热问题?
 答:  增加 PCB 铺铜面积。
 请问 NCP1342 是否只能搭配特定公司砷化稼方案？
 答: 否。
 安森美有哪些产品？
 答: 功率器件管，控制 IC，逻辑器件等。
 有 LLC 搭配 BUCK 的 referancedesign 的连结吗？
 答: 尚未 Released。
 65W 产品温升测试，背景温度 25 度，外壳到了 78，那么外界温度 40 度情况，这个温升情况是不是不太行了，有没有测过内部 mos 去到多少度了？
 答: GaNtransistor 及 SRMOSFET 温升肯定会再升高，尚未有数据可以 Released。
 请问 9V 输出时效率最高做到多少。
 答: 230V 输入，9V 输出可达 92%。
 请问，使用 TYPEC 最大可输出到多少W?
 答:  我们展示的 demo 输出是 60W。
 Type-CPD 电源有什么特点优势？
 答: 高功率密度，多电压输出。
 GAN65W 有没有完整的方案，拿来就能上市的那种？
 答: 有，可以上大大通给我们留言。
 这样需要放到 GaN 的 MOSFET 吗？
 答: 为了 230VacLightload25%，50%load 时的效率表现，GaNTransistor 是最佳方案选择。
 NCP1342_SO-8orSO-9 哪一款才是市场常用料？
 答: SO9。
 FaultPINOVP 和 OTP 是否可以同时使用？
 答: 可以。
 BI/BO 电压是固定的吗？
 答: 可以通过外围电阻设定。
 GAN 需要电容分压，那电容如何选择？
 答: 需要，分压到 GaN 的驱动电压。
 刚才没有提到稳定控制部分，动态负载调整率参数情况，还有控制环稳定情况如何？
 答: NCP1342QRcontroller 是处于非连续电流操作，稳定度的控制主要是在 NCP1342 的 FBpin 及 NCP431 的频率补偿 network 做调校。
 65W 变压器建议多股绞线，建议用多大线径绞线？
 答: 0.05mm。
 OVP 侦测脚迟滞电压多少其数据在温度范围内？
 答: NCP1342 是透过 delaytime(VCC_OVP，OVP)来做误触发防止。
 MOS 选择时有需要汪意 Qrr 或 Qt 吗？
 答: 不需要特别注意，除非 Qrr 或 Qt 过大(如 low Rds(on)的 MOS)。
 安森美半导体，跟比竞争者比较，PD 快充技术有什么优势?
 答:  最主要的优势是高能量密度，使用安森美半导体的周边器件可缩小 PD 产品体积。
 有更高功率的方案吗？
 答: 有的，可采用 NCP13992。
 NCP13992 能做到几 W？
 答: 在PD产品上有150W。
 目前快充支援到几 W？
 答: 100W。
 为什么选择 GaN 用于高密度电源？
 答: 可提高切换频率缩小产品体积。
 禁带宽度高最直接影响的是哪方面性能？
 答: 重载时的动态响应。
 PD 跟以前快充有啥优势？
 答: 最主要的优势是高能量密度及可变输出电压。
 工作频率最大可支持到多少？
 答: 350kHz~500kHz。
 安森美半导体 PD 快充，目前有哪些实际使用案例？
 答: NCP1342 以使用在许多 PD 充电器，如 Baseus 倍思…
 请问：NCP1342 是如何支撑多电压自适应充电器？
 答: 需透过 PD 控制芯片。
 

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