产业研究报告分析,在物联网的趋势下,未来会产生非常大的数据,光靠云端运算无法完全处理,所以须仰赖边缘运算,长期来看边缘运算的兴起,会让小型化服务器与小型资料中心等装置的需求量大增,且服务器会越做越小。英飞凌持续专注于现今电源设计面临挑战,透过元件层级的强化实现系统创新。源极底置(Source Down)是符合业界标准的全新封装概念,英飞凌已推出首批基于该封装概念的功率MOSFET采用PQFN3.3×3.3 mm封装的OptiMOS 25V。
新封装概念将源极(Source)与导热片相接 ,而透过导热片连接至PCB。与现有技术相比,此Source Down OptiMOS可使RDS(on) 降低。相较于传统的PQFN封装,接面与外壳间的热阻 (RthJC) 亦获得大幅改善。Source Down OptiMOS可承受较的高连续电流。此外,经过最佳化的配置可能性和Layouty走线布置更有效的PCB利用,可实现更高的设计灵活性和最高效能使缩小产品体积。
Infineon Source Down OptiMOS 优势如下:
● Source down OptiMOS有2种引脚版本
● Layout布置
使用Source Down OptiMOS Center-Gate包装 , Drain与Source端之间沿面距离更大,在 Layout上易于并联。
● 较低RDS(on)
● 效率
● 优化热管理
● 热性能优势
● Source Down OptiMOS PQFN3.3x3.3 25V-150V产品规格表
● 总结
参考于Infineon
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