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精彩问答_大大通/品佳/Infineon 在线研讨会_电源开关元件新驱势: 英飞凌GaN与SiC MOSFET 在线研讨会_2021.06.02

关键字 :在线研讨会，Infineon，5G，GaN，SiC，MOSFET，精彩问答
6 月 2日英飞凌、大联大品佳集团、以及大大通联合举办的 电源开关元件新驱势: 英飞凌GaN与SiC MOSFET 已经圆满结束，Sam Lin 也给大家带来了很多关于车用 & 5G市场推动电源供应方案之改革，GaN & SiC 在 PFC/LLC HV DC/DC 应用上效能差异和选用建议 等的内容，本场线上研讨会也收到同行们提出的许多精彩的提问，在此再次与大家分享共进。

看视频回放+课件下载   >>>由此去

 用于新能源车的驱动中，从减小设备体积及工作效率来考虑，碳化硅MOSFET的开关频率取多少比较合适？ 且开关速度设置为多少比较合适呢？
 通常WBG建议250KHz以上会比较看得出差异。
 为何大瓦数建议使用 GaN， 不是SiC散热能力强很多吗？
 SiC具有较好的温度特性，适合大功率的产品应用。
 请问GaN 设计原则在开关频率的原则下，对EMI的影响有建议的对策吗？
 主要还是以Layout 路径短，回路小为原则。磁性元件做屏蔽。
 现在英飞凌的阈值电压一般能做到都少V？
 GaN需使用负压来截止，建议可搭配专用gate driver使用且频率建议操作在高频，比较看得出效率差异。SiC不需负压截止，为考量conduction loss，Vgs电压建议为18V。
 

Infineon 的 GaN 优势有哪些?

 IFX GaN MOSFET产品为Enhance mode结构，适合应用在高、中、低压的GaN MOSFET产品，且为signal die较易模组化。
 有预计要出8*8的SIC mosfet吗？
 目前有在Infineon的排程计画中，敬请您稍待，有任何最新消息代理商会立即告知您，谢谢您的支持。
 由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率选择哪种材料GaN & SiC？
 都可以使用，但200W以下建议您使用GaN solution，1KW以上建议您采用SiC Solution，谢谢。
 IFX SiC MOSFET & GaN 已经有在终端客户的案子上做量产过？
 有喔 ， 目前应用在终端客户已量产。
 LED大功率驱动10A以上，用同步整流方案可以使GaN还是SiC。主要想实现低灰调光和和恒流的精度？
 同步整流SR建议一般Si MOS就好。
 若工作的环境为高温，是否会影响其效能？
 IFX SiC MOSFET 高温特性优于 Si 及 SiC MOSFET。
 GaN 跟 SIC 开关频率500K以上的情况下，对EMI的影响有什么好的建议对策？
 高频应用EMI建议从layout与磁性元件着手。
 英飞凌除了提供功率SiC GaN 的MOSFET还有相关的驱动IC吗？驱动IC适合其他厂家SiCGan吗？
 有相关的驱动IC， 若是其它它的SiC and GaN 若是相同的制程是可以。
 由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率选择GaN & SiC?
 要看瓦特数及应用。
 Gan的操作频率？
 在soft switch的应用，建议操作在250KHz以上，比较看得出效益。
 市面上gan器件其耐压一般不超过多少伏？
 1200V。
 英飞凌除了提供功率SiC GaN 的MOSFET还有相关的驱动IC吗？
 有。
 Gan 跟Sic 可以应用在ADAS 系统电源设计上吗？
 可以喔。
 

GaN 为 Infineon 独家产品吗? 若是，以后是否会有交货问题？

 目前市面上都已有GaN产品。
 SiC耐高温的温度是多少？
 SiC 操作温度在-55度~150度。
 英飞凌的SiC技术有哪一些专用的专利提高了器件的性能？
 制成的优化让内组大幅缩小，换来更好的效率。
 GaN操作频率要多少能达到最好的效能？
 硬切换的部分建议在150kHz以上，软切换的话建议在200kHz以上。
 GaN优势有哪些？
 在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。
 英飞凌GaN与SiC MOSFET耐压现在能做到多少？
 Ifineon GaN 目前最高是 600V ， SiC MOSFET 最高 1200V。
 GaN 跟传统coolmos的layout 以及跟PWM IC搭配上有哪些地方需要特别注意? 能meet Safety 要求吗？
 layout 相同但须加Gate IC 驱动 ， 能meet Safety 要求。
 Gan 跟Sic 怎么选择 ？
 在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 因为GaN有相对高的dv/dt能力， 但是在高频切换的时候如何抑制振铃现象? 或是内部结构有程度上的优势可以降低这部分的问题？
 ring的部份，与电路layout与电路设计有关，IFX GaN产品具有Drive source pin可改善此一情形。
 Breakdown voltage 哪种材质更佳？
 相同电压情况下GaN会更稍微好一点，谢谢!!，SiC则是有高达1200V的产品可以选择，谢谢!!
 GaN元件可以替代SiC元件吗？
 可以，但须看您的应该规格，两者应用上还是有些差异。
 死区时间可以做到多少？
 要看实际用 ， 去作微调。
 在新器件的设计过程中，需要哪些措施能够一直EMI和噪声问题？
  主要还是以PCB layout 路径及磁性元件来做屏蔽。
 一般RDSon跟Qg是成反比，但CoolGaN Gen1的RDSon与Qg都比其他CoolMOS/CoolSiC的要低，请问这是如何做到的？
  这是由于材料特性的不同，SiC为碳化硅，GaN为氮化镓，与基本硅结构的不太一样，谢谢!!
 sic和gan工作范围分别是多少？
 都可操作在500Khz以上。
 高频，高功率是大约以多少为基准？
  基本上高频约 100k 以上 ， 高功率则要看高率密度。
  驱动电阻可以用磁珠来替代吗?
  驱动建议使用驱动IC较优。
 尤其在WBG的产品， 目前最大的EAS能力能到多少焦耳? 适合用在马达性负载的应用吗? Avalanche的现象该如何去处理呢？
  EAS请参考data sheet，在马达应用建议使用IGBT产品，GaN不建议操作在avalanche的条件下。
 GaN与siC器件的主要封装现阶段都有哪几类？ 
  GaN 以SMD为主，SiC以TO-247 包装为主。
 请问有英飞凌GaN配合的PWM半桥IC吗？
  可以。
 在驱动线路方面，GaN是不是更短？
  Infineon GaN 可以搭配 Infineon 驱动 IC。
 

在驱动方面相较于传统驱动具有哪些特征？

  GaN : 电压转电流驱动线路，建议搭配负压截止线路或gate driver， SiC : 18V电压驱动与SJ MOS 线路类似，谢谢!!
 infineon 对比于其他家 ， Nexperia ， Transhpom ， TI ， GaN System ... 等， 有什么优势吗?
  IFX GaN MOSFET产品为Enhance mode结构，适合应用在高、中、低压的GaN MOSFET产品，且为signal die较易模组化。
 所以终极目标是要用Cool GaN取代现有制成的MOSFET? 特别是Si制成的？
  主要还是取决于操作频率与产品设计。
 请问GaN的特性 适合用在马达驱动上吗？
  马达驱动建议使用IGBT 来使用。
 cascode GaN 频率可到多高？
 Infineon是E-Mode为主。
 抗雪崩能量的能力如何？
 抗雪崩能力很好，谢谢!!
 请问 若是热的考量，选用sic是不是应该比GaN来的好？
 SiC温度特性较好，适合大功率的产品。
 使用SIC或者GaN MOS时，EMC设计有何建议？
 SIC 和 GaN 操作在高频建议针对高频处理，与一般Mos 之设计layout 相同，路径短，回路近为原则。
 在导通损耗和开关损耗方面，GaN相较于SI具有哪些优势？
 较小的Qoss，当应用在soft switch应用上，dead time可以比较小，有效传递能量时间可以增加，有利提升效率与操作频率。 Qg影响驱动损耗，主要影响轻载效率。在相同温度下，GaN/SiC与Si材质相比Rds-on分别附低34%与46%的阻值。
 

在设计过程中是否会存在负偏置和驱动电压的精度问题？

 IFX GaN 为电流驱动。
 GaN 抗静电的能力是否会比SIC低？
 不会。
 驱动电压可耐受到多高，而不会损坏？
 GaN最低-10V，为电流驱动，SiC MOS最大不超过Vgs 18V，谢谢。
 GaN 相比SiC有什么优点和缺点？
 GaN在应用上以高效率与高功率密度为主，综合可靠度、效率、功率密度与使用难易度上则可以选择SiC。
 数码通用发电机上变频模块用你家的MOS好，还是IGBT好？
 IGBT 比较适合。
 对于COOL GAN 电流驱动 建议使用多少VGS 去推比较适合？
  GaN 是以电流驱动非电压驱动。
 GaN的开关频率是否能够达到1MHz？
  可以的。
 

GaN & SiC在PFC/LLC HV DC/DC应用上效能差异和选用建议？

  PFC硬切换且高热环境(server)建议选用SiC MOSFET ， 软切换或小功率高密度的硬切换建议可适用GaN MOS，DC/DC须看应用范围，目前尚无低压200V以下的SiC与GaN MOSFET产品可以选用，谢谢!!
 英飞凌 GaN与ST的有何优势?
  IFX与其它竞争者产品稳定性与可靠性较佳。
 请问英飞凌在MOSFET对未来的挑战是什么？
  效率上能在 improve。
 请问英飞凌GaN MOSFET与SiC MOSFET的差异是什么？
  材质不同造就的特性就不一样。
 GaN与SiC的散热部分需要哪些额外设计吗？
  需要看损耗热善的掉。
 高频高压是不是更适合GaN的应用？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。
 请问英飞凌GaN MOSFET与竞争者的优势是什么？
  在技术层面上领先及英飞凌对未来产品的积极开发。
 请问 Id pulse 两者哪一个较高？
  因包装不同，也有不同的Id pulse。
 既然WBG的特性适合用在高频切换， 那比较RDS(on)的优劣就更不明显了， 请问在Co与gfs的差异为何？
  Gan 驱动建议加 gate IC 搭配使用。
 

马达驱动器建议使用吗？

  IGBT比较合适。
 目前GaN能做到最大的直流电压是多大？
  Infineon GaN目前都是650V为主。
 在大功率并联方案设计中Gan与Sic是否具有优势？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 请问热传导上，SiC比GaN还有Si都来的好，如果价格因素不考量的状况下，建议在功率密度高的产品，会建议用GaN， Si 还是SiC ？
  SiC温度特性较好，适合大功率的产品应用。在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。
 GaN MOS有频率限制吗？
  建议可到500K以上。
 在应用中，针对开关频率如何才能体现出GaN的优势？ 
  在频率操高时，可缩小整体元件体积。效率较比Si 来的高。
 光达模组可应用否？
  不适合。
 GaN工作在500khz的工作频率下，效率能够提高多少的百分比？
  实际能提升的百分比需依照驱动线路周边参数的配置，并非是定值，谢谢!!
 

对于大瓦数的应用 推荐GAN 还是SIC？

  SiC温度特性较好，适合大功率的产品应用。
 GAN是不是更适合高温压的场合?
  不适合，高温压还是以Si 较好。
 GaN相对于LDMOS有何优势？
  在高频化与高功率密度的产品需求上建议使用GaN的产品。
 GaN在输出效率上确实很有优势，但是在稳定行上却没有优势，请问你们是怎样解决稳定性这个问题的？
  IFX GaN 确实有它的优势 ， 但实际应用要与PWM IC 要一起配合。
 GaN应用在电源充电器上的最大挑战是什么？
  EMI 处理。
 越大电流或电压是否用GaN制成的MOS越好呢？
  主要还是取决于操作频率与产品设计。
 GaN能做逆变器电源吗？
  可以。
 GaN与siC可以说都是下一代半导体的市场趋势所在，请问英飞凌GaN在充电器上有应用么？
  在充电器上英飞凌有应用。
 驱动线路有专利吗？
  IFX 有专用驱动 IC。
 

normal on 改为normal off有什么好处? switch切换比较快？

  normal on 不适合 swicth 运用。
 请问eMode GaN与一般常见的Cascode GaN在晶片上厚度/VGS(th)的差异各是多少？
 IFX 为 eMode。
 相似规格的SiC and GaN价差约几倍？
  依目前600V 70m ohm等级来说，价格还是有差异，GaN会比较贵，详细须以厂商报价为主，谢谢!!
 cascode 会导致 Switching Frequency 上不去吗？
  不会。
 可否谈下GaN对下一代开关电源的影响？
 开关电源会渐渐往高频高效率高dimension发展。
 请问GaN可以应用哪些应用场景？
  应用可在高功率、高效率及小型化尺寸。
 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)的驱动开通关断电压分别是多大？
 IFX SiC --> 建议 0~18V ， IFX GaN --> 为电流驱动 ， 详细可参考 IFX 文件。
 

请问大瓦数的COOL GAN 需要如何并联？

 建议加 Gate IC 分别使用。
 英飞凌如何解决现在泛滥的抄板问题，用户需要在应用时注意什么?
  IFX的产品都有申请专利，客户在产品的选用都会受到保证。
 GaN和SiC优势明显，会取代传统的Si Mosfet吗？
  您好，目前来说2kW以上的server，telecom，WS有慢慢导入SiC取代Si的趋势，而200W以下的PD则是近一两年有导入GaN取代Si的趋势(高功率密度及热的考量)，谢谢!!
 请问GaN并联驱动怎么设计？
  建议搭配gate driver IC会比较稳定，同时也有参考线路。
 GaN量产型号有哪些？是否方便提供下选型手册？
  在IFX 官网可以查询的到，https://www.infineon.com/cms/en/applications/
 GaN 相比SiC有什么优点和缺点？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。缺点价格较贵。
 对于微波领域GaN可以有哪些应用？

  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。
 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)的驱动部分设计与第二代半导体相比有哪些差别？
  GaN为电流驱动，需要负压截止。SiC MOSFET则不需要负压来截止且Vgs电压建议为18V。
 GaN技术现在成熟吗。很多领域都在使用GaN，但是感觉有些方面指标还在提升？
  目前已经成熟，但由于单价较高尚未全面的大幅应用，但其trr几乎为0，且不容易发烫的特性依然受到设计者在设计高功率密度power的喜爱，谢谢!!
 

系列的目标应用场景？

  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 GaN有应用在PA产品吗？
  有的。
 GaN可以操作到多高的频率？
  可到500KHZ以上。
 主要特性是什么？优势在哪些方面？
  GaN在应用上以高效率与高功率密度为主，综合可靠度、效率、功率密度与使用难易度上则可以选择SiC。
 与一般制成的MOS，若使用GaN制成的MOS在快充上，可提升多少效率？
  要视Rdson规格和操作频率决定。
 氮化镓控制上有什么注意事项？
  IFX Gan为电流驱动，使用负压来截止。
 下一代的COOL GAN 有预计甚么时候推出吗？
  预计年底 Q4 会推出新的 GaN 产品。
 GaN会成为5g领域核心元器件吗？
  须视5G领域而定，目前GaN主要应用于PD及高功率密度的power， 5G机站与基地台则有导入SiC MOSFET的趋势，谢谢!!
 

电源应用上，SIC和普通快恢复二极管器件相比成本大概高多少？

  至少50%以上。
 第三代半导体芯片在产业链各个环节的关键技术有哪些？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 PSS是什么？
  PSS=Power & Sensor. Systems，是英飞凌的产品分类，谢谢!!
 sic制程有哪些核心技术？
  高温特性比较好。
 氮化镓(GaN) 和碳化硅 (SiC) 的应用场景有哪些？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 氮化镓和MOSFET相比，应用上有哪些不足，效率肯定比mosfet高出很多？
  应该是说各有优缺点，主要看须求的应该产品来考量规格使用。
 为何氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 在第三代半导体中备受追捧？有哪些优势？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 

SiC 推动电压至少需要几伏特？

  建议值18V。
 有散热的考量吗?
  SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 SiC与GaN工作在什么频率下才能体现性能优势？
  在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 有没有80V6A的开关电源方案？谢谢！成本大约能做什么价位？
  目前GaN and SiC 以高压为主，低压您可参考Si。
 GaN频率也可以操作到多高？100W？
  一般在硬切换的PFC，建议操作在150kHz以上方能与SJ MOSFET有显著差异，软切换的部分建议操作在200kHz以上，方能展现其优势，谢谢!!
 氮化镓和mosfet效率比较，理论上高出多少？
  在相同温度下，GaN/SiC与Si材质相比Rds-on分别附低34%与46%的阻值。
 GaN or SiC的温度特性只是耐高温是吗?有助降低功耗吗？
  SiC在温度特性比较好，可以减少conduction loss，适合大功率的产品应用。
 贵司的GaN & SiC方案 bom cost是什么范围？
  您好，需依照应用的功率范围，从45W~4kW都有，需依照电压(600~1200V)及Rds_on(10~400m ohm)进行确认而定，谢谢!!
 GaN SiC Si 那个价格最便宜？手机 GaN SiC Si 那个好？
  Si 目前价格比较便宜；在高频化与高功率密度的产品需求上应用GaN的产品。SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。
 

SIC功率器达的核心到多高温度，性能开始下降？

  只要操作在规格内且符合SOA即可。
 SiC MOSfet 的 desat 保护和 IGBT desat 是一个原理吗？
  不一样。
 请问器件的开启电压的漂移原理是什么？
  太高的SiC Vgs负压会造Vgs,th电压飘移。
 门极开启电压提高了是不是可以不用负压驱动？
  SiC可以不需负压截止，但GaN还是需要负压。
 门极开启电压有没有提高一些？Vgs电压建议为18V以内还是？
  Gan建议加 gate IC ,Sic建议电压18V。SiC 驱动电压建议18V. GaN 是以电流来驱动。
 驱动电压如果超过18V会出现什么问题？
  SiC 驱动电压最高至23V, 超过会损坏。
 为什么Vgs耐受电压会比VCREE更低？
  有看过Spec , 没有明显差异。
 SiC产品价格较高，在价格上如何能做到更加适合推广？
  会看市场接受度出货数量越大越有降价空间。
 

碳化硅的功率器件在外界环境温度温差比较大的情况下能保证性能吗？

  建议还是以在操作在建议的环境温度下。
 SiC器件失效后，栅源极是短路还是状态呢？
  一般都是呈现短路的现象。
 应用了SiC的MOSFET，是不是可以不用软开关吗？
  硬切也可使用。
 混合碳化硅MOS功率模块的工作频率是多少？
  工作频率可到1MHz。
 GaN的效率在实际应用比Si高多少%？什么架构？什么操作条件？
  如果freq越高频的话 , GaN 销率表现优于 SiC MOSFET。
  SIC的电流参数现在最高能做到多少？
  在不同的Rdson 会有不同的ID电流。所以还是参照Datasheet。
 GaN在低压功率器件上的应用前景？能用于高频射频吗？
  IFX目前没听过会出低压部分。
 

请问GaN的成本核心瓶颈在哪里？

  会看市场接受度出货数量越大越有降价空间。
 SiC和GaN的功率器件能应用于电力系统吗?
  较不建议使用低频 ,优势不存在了。
 英飞凌对比rohm或其他品牌有什么优势？
  IFX GaN MOSFET产品为Enhance mode结构，适合应用在高、中、低压的GaN MOSFET产品。
 碳化硅MOS相比于硅MOS的有没有对比不足的方面？
  目前价格上还是偏贵 , 毕竟还没有很普及。
 碳化硅器件的开关速度可以达到多少？
  一般操作 freq= 500k 范围以内。
 碳化硅MOS相比于硅igbt在驱动方式上有什么改变吗？
  SiC建议搭配专用gate driver使用。
 驱动电压典型值是正18Ⅴ负3V吗？
  infineon SiC gate 驱动电压建议为 0~18V。
 GaN & SiC在PFC/LLC HV DC/DC应用上有哪些效能差异？
  如操作频率越高频的话 GaN 效率表现会比 Si 或 SiC MOS 来得好。
 新器件的内部和外部寄生效应表现如何？
  GaN/SiC寄生参数相较于Si皆比较低。
 

碳化硅的电力电子应用方面具有哪些优势？

  SiC具有较好的温度特性，适合大功率的产品应用。
 应用系统要求轻载至半载效率极高应该选用哪类器件？
  功率元件可以选择Qg 参数来着手。
 GaN 和 SiC的雪崩能力拿个比较好？
  GaN 没有雪崩电压。
 SIC会开发低压 SIC MOS？
  SiC并无开发低压的MOSFET。
 在PV inverter 产品应用，是否有推荐规格？
  只要耐压符合即可，详细的部份可以上英飞凌官网。
 Which type of driver is suitable for Bridge MOS, current mode or voltage mode？
  refer active bridge IC solution, TEA2208。
 两者比较各自优势再哪里，驱动电路有什么区别？
  GaN需要负压截止，SiC MOSFET则不需要负压来截止且Vgs电压建议为18V。
 GaN & SiC在12v转1V or 0.6V的低压应用是否适合？
  不适合。
 

GaN或者SiC的MOSfet或者二极管从性价比上考量什么时候可以大规模推广使用？

 当客户需要高效率、高频操作与高功密度的需求。 
 What's your target application and topology for GaN and SiC? Does GaN really fits for low wattage ACDC adapter (＜300W) or more suitable for high current DCDC application？
  1. High power density, frequency and efficiency application.
2. Operation frequency >250KHz, GaN MOSFET is a suitable solution for adapter.
 众所周知，MOS管属于功率，大热量，超脆弱的器件。而开关电源的集成是往大功率，小型化的方向发展。请问在这样的趋势下，贵公司如何做到有效散热？
  大功率的产品建议可选择SiC产品，因其具有很好的温度特性，可减少conduction loss。
 产品支持上百瓦的pd电源吗？
  可以，GaN MOSFET对PD产品可以提供高功率密度与高效率的特性。
 GAN和SiC的MOSFET做大电流的同步整流的LED驱动怎么选型？
  SR同步整流建议一般SI MOS即可。
 目前SiC和GaN器件的应用场合区别在哪？哪种更适合于中高压大功率场合？
  1.GaN在应用上以高效率与高功率密度为主，综合可靠度、效率、功率密度与使用难易度上则可以选择SiC
2.SiC MOSFET
 GaN和SiC在使用过程中的开关损耗和管压降内阻能降低到多少量级？
  较小的Qoss，当应用在soft switch应用上，dead time可以比较小，有效传递能量时间可以增加，有利提升效率与操作频率。
Qg影响驱动损耗，主要影响轻载效率。在相同温度下，GaN/SiC与Si材质相比Rds-on分别附低34%与46%的阻值。
 

如何降低开关损耗？

  由于GaN切换速度很快，一般on/off时间都不会超过20ns，且由于Qoss小，在soft switch应用上，dead time可以比较小，有效传递能量时间可以增加，有利提升效率与操作频率。
 英飞凌GaN与SiC MOSFET,最大耐压和最大电流可以做到多少?
  两者最高电压为650V，电流的部份依照不同Rdson来选用。
 栅极-源极间的耐压多少？
  GaN 因为是电流驱动所以3.5V即可, SiC则建议要18V。
 因为E-GaN的Vth低，所以在half-bridge应用常会采用负电压关断，便宜的负电压关断虽然可用RRC线路来完成，但如此在刚开机时的Vgs仍然是以零电压关断，因此想请教是否有推荐的负电压关断开机方式？
  建议还是使用驱动IC来设计会比较好。
 如轻载1MHz到重载500kHz 变频范围的LLC架构，虽然GaN device能应用在高频，但要怎么解决轻载LLC电流小所造成deadtime过大的问题？
  由于GaN切换速度很快，一般on/off时间都不会超过20ns，且由于Qoss小，在soft switch应用上，dead time可以比较小，有效传递能量时间可以增加，有利提升效率与操作频率。
 What is the difference between GaN and SiC? Benefit? Cost？
  材料特性不同,所以呈现效果也会不同,SiC会比较适合大瓦特数,GaN会比较适合高频化应用,价格会比传统Si高一点。
 请问英飞凌GaN MOSFET与其它竞争者的差异与优势？
  主要是以英飞凌在这个产业的技术领先及未来市场的开发为优势。
 GaN和SiC会取代传统Si材料的MOSFET吗？
  目前还是会以不同产品及规格须求来使用。所以暂时还不会完全取代Si Mos。
 这个芯片，相比之前的技术优势在哪里？成本有优势吗？
  WBG会比传统Si元件在切换速度和耐压制程上来得较有优势,但因为是新的器件所以成本会较高一些。
 

GaN & SiC 各有何使用上限制？

  GaN需使用负压来截止，建议可搭配专用gate driver使用且频率建议操作在高频，比较看得出效率差异。SiC不需负压截止，为考量conduction loss，Vgs电压建议为18V。
 依现行制程技术和时有机会实现GaN & SiC在12v转1V or 0.6V的低压应用？
  目前GaN与SiC MOSFET尚无低压产品可供使用。
 GaN或者SiC在开光电源设计中如何配套其他器件起到效益最大化，如驱动芯片的频率、磁性元件等？
  目前GaN与SiC MOSFET尚无低压产品可供使用。
 GaN或者SiC在开光电源设计中如何配套其他器件起到效益最大化，如驱动芯片的频率、磁性元件等？
  GaN与SiC MOSFET产品，IFX皆有专用gate driver可搭配使用。
 SiC IGBT高压能到多高，Si基的相比有哪些优势？
 车用SiC MOSFET耐压最高有到1200V，SiC的产品则是应用在高功率高温度与高频化的应用。 

后续我们还会有更多关于大大通线上研讨会，也欢迎大家持续关注~

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    1. 车用 & 5G市场推动电源供应方案之改革
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    4. GaN & SiC 在 PFC/LLC HV DC/DC 应用上效能差异和选用建议


通过本次研讨会您将可以了解：
    1. 市场需求的变革对电源器件的影响
    2. GaN & SiC 运作原理和帮助您在效能上的提升
    3. 有效节省您设计上的时间和设计的要求

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