/*
还记不记得第2堂课有说过MCHP的半数位电源有2派: 一派是DEPA、一派是CIP?
DEPA : Digital Enhanced Power Analog (数位增强型类比电源)
*/
Void DEPA_VDD_GateDriver(void)
{DEAP 比CIP更为精简的主要原因有二:
一是加入了耐压42V 的Regulator, 二是加入了MOSFET 的Gate Driver.(如下绿色框框)
1.将耐压42V的稳压IC(+5V)整合至IC内部、提供CPU及Gate driver 使用;
1-1 LDO 温度对于输出电流的特性:
1-2 LDO 温度对于 Vin 与VDD的特性:
1-3 LDO 温度对输出电压与电流的特性:
2.将MOSFET driver 整合至IC内部(以MCP19214/5 为例):
其中driver 能力:
0.5A Sink/Source @VDR=5V
1A Sink/Source @VDR=10V
意即，若要增加Gate driver 的驱动能力，建议外加一个倍压线路:TC1240A 在VDD 与VDR间:
(*请注意TC1240A 的耐温仅有工业规格的85℃)
加入此倍压IC的好处，在某一些方面来说可以减少MOSFET 的switching loss、提升效率，否则就要很刻意的寻找价格可能稍贵而且选择性不多的logic level MOSFET 或是VGSth 较低的MOSFET.
**有关MOSFET 的驱动与损耗的相关知识请参照另文，在此不缀述。
}
Void DEPA_ADC_TANA(void)
{
【IC 内部的温升问题】
好了，解释完DEPA 内整合的这两个元件后，肯定会遇到IC 的温升问题，尤其是整合了Gate Driver 后的温升是必然的，
DEPA 内部的thermal 参数:
除了IC 本身腹部有pad (EP)散热以外，有没有什么方法可以预防IC 烧过头导致脑袋烧坏呢?
有的，DEPA 内部有一个Thermal sensor 可以使用:
不过需要靠A/D转换器去读取并判别:
这个thermal sensor 在ACCON0:0x18h 位置:
然后在内部ROM 的2084H有放置一个每颗IC在30℃时的校正值，这个值每个IC都不同:
其归零校正计算公式如下:
每次要进行温度判别时，要先把TANA 值读出，然后进行上述的公式计算实际的温度值，再用这个温度值进行想要的动作；保护、改变频率、降低输出功率、发出警示…等等。
}
While() //无穷的回圈、不断的反复学习;
{
/*
因为硬体线路更精简、规划容易，所以非常适合初入门想学半数位电源的哈味或风味工程师，纵合上述优点，DEPA 更适合空间面积有所限制的场合使用文件引用自MCHP 官网DATASHEET:”DS20005681A”
*/
}
<未完待续>
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