在电子产品的设计，电阻作为其中信号采集和能量吸收的元件，涉及空间及成本考量，在浪涌静电的防护中，经常被忽略其特性，进而发生较多失效现象。本文将结合 Vishay 耐功率及耐冲击的电阻系列特性，总结和归纳电阻的选择中，需要注意的一些事项。
电阻作为电路中常用的元件，在突波吸收，电压信号采集，电流信号的回路中，一般扮演比较重要的角色，由于电阻特性，其回路中的电流并非理论中稳态的电流而是波动的。当实际的产品测试和使用中，突发的浪涌冲击，由于能量的密集，本体材料能量承受能力限制，电阻在冲击的过程中，很容易能量超过承载能力而失效。
如下图所示，常规电阻的额定满功率的最高温度为70度，电阻本体在能量的冲击过程中，温度会上升的比较快，当超过70度时，其本体的功率能力会下降，伴随温度的进一步提高，超过最高温度能力时，电阻就会失效而造成本体开路等问题。
实际的能量冲击情形，主要有两种，一种为短时间诸如 μs，ns 时间等级的尖峰冲击，一种为 ms 甚至更长时间的高能量冲击，前者易导致短时间的热堆积，造成电阻本体的温升骤变，后者温升的速度缓慢，但电阻承受的能量时间久，本体的温度压力也比较大。如下电压冲击的降额曲线所示，电阻本体，短时间内抗高压尖峰能力远超接近稳态低压的能力。
针对此问题，设计中需要特别的注意和考量标准， 针对脉冲的冲击数量，时间等参数做好标准的评估。
单次脉冲，例如抗静电冲击，其时间非常短，ns 级别，对于电阻的平均能量冲击很低，按照能量与功率的换算关系，Energy=P*t. 估算功率的大小； 多次脉冲冲击，例如短路测试，其持续的次数比较多，估算单次的能量冲击同时，再对比降额的空间，特别是电阻的温度很有可能超过拐点的情形。
以下图为例，我们看单次冲击和长时间冲击电阻的能量冲击能力对比，相同封装的电阻，单次可抗功率要比多次的高， 以 1206 封装看 1μs 时间内功率单次可达1000W 以上，而时间到 1ms 其功率已经低于100W， 相差十几倍；而到 0.1s 其功率的数量级只有十几瓦。 对此的电阻能力，我们需要依据实际设计中，冲击能量的标准及计算选择合适的电阻尤为重要。
电阻作为电路中常用的元件，在突波吸收，电压信号采集，电流信号的回路中，一般扮演比较重要的角色，由于电阻特性，其回路中的电流并非理论中稳态的电流而是波动的。当实际的产品测试和使用中，突发的浪涌冲击，由于能量的密集，本体材料能量承受能力限制，电阻在冲击的过程中，很容易能量超过承载能力而失效。
如下图所示，常规电阻的额定满功率的最高温度为70度，电阻本体在能量的冲击过程中，温度会上升的比较快，当超过70度时，其本体的功率能力会下降，伴随温度的进一步提高，超过最高温度能力时，电阻就会失效而造成本体开路等问题。
实际的能量冲击情形，主要有两种，一种为短时间诸如 μs，ns 时间等级的尖峰冲击，一种为 ms 甚至更长时间的高能量冲击，前者易导致短时间的热堆积，造成电阻本体的温升骤变，后者温升的速度缓慢，但电阻承受的能量时间久，本体的温度压力也比较大。如下电压冲击的降额曲线所示，电阻本体，短时间内抗高压尖峰能力远超接近稳态低压的能力。
针对此问题，设计中需要特别的注意和考量标准， 针对脉冲的冲击数量，时间等参数做好标准的评估。
单次脉冲，例如抗静电冲击，其时间非常短，ns 级别，对于电阻的平均能量冲击很低，按照能量与功率的换算关系，Energy=P*t. 估算功率的大小； 多次脉冲冲击，例如短路测试，其持续的次数比较多，估算单次的能量冲击同时，再对比降额的空间，特别是电阻的温度很有可能超过拐点的情形。
以下图为例，我们看单次冲击和长时间冲击电阻的能量冲击能力对比，相同封装的电阻，单次可抗功率要比多次的高， 以 1206 封装看 1μs 时间内功率单次可达1000W 以上，而时间到 1ms 其功率已经低于100W， 相差十几倍；而到 0.1s 其功率的数量级只有十几瓦。 对此的电阻能力，我们需要依据实际设计中，冲击能量的标准及计算选择合适的电阻尤为重要。
针对客户对高浪涌能力及高耐压产品的需求，Vishay 推出了高浪涌高功率版本 RCS 系列以及高压产品 CRHV, CRHA, CRMV, CRMA 系列。
与 Vishay 普通厚膜产品 CRCW 相比， RCS 系列在 0603 封装产品功率等级提高到 0.25W ， 浪涌电压 1200V， 1206 封装可提供 0.5W ，2900V 浪涌电压能力。
CRMA 系列，可以在 1206 封装提供 1000V 额定电压工作能力，是普通厚膜 200V 耐压能力的 5倍，对于现阶段更多小型化的高压产品中，信号采集部分，可以极大提高空间和生产的能效。
更多的内容可登录 Vishay 官方网站 https://www.vishay.com/ 查询详细信息。
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