新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。
氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在开关电路中开关及续流损耗大大降低。
而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。
传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。
新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。
下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的对比
氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在开关电路中开关及续流损耗大大降低。
而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。
传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。
新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。
下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的对比
总之：
1.GaN比Si具有更低的导通损耗。
2.GaN器件比硅器件具有更高的开关速度，可实现更高的工作频率，提高功率密度，减少开关振铃，从而减小EMI，提高效率。
3.GaN在较大的温度范围内提供稳定，具有更低的泄漏电流。
4.正温度系数，可用于并联
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