氮化镓GaN是氮（N）和镓（Ga）的化合物，同时被视为高科技领域中重要的第三代半导体材料。过去功率开关元件普遍使用的材料是硅，但硅本身不耐高电压，在热能和电力传输方面有限，元件也无法变得更小，氮化镓GaN 与硅相比较有着更宽的带隙 , 带隙越宽 , 越能耐高温、高压、高频、高电流 , 能源转换效率也越好 , 尺寸上也能做得更小。
随著近年来氮化镓 GaN技术逐渐成熟，也开始成为半导体的未来之星 , 英飞凌推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN™ IPS 系列，成为旗下众多宽能隙半导体(WBG)功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如 USB-PD、Charger and Adaptor、Server 等产品。
英飞凌CoolGaN IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。
随著近年来氮化镓 GaN技术逐渐成熟，也开始成为半导体的未来之星 , 英飞凌推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN™ IPS 系列，成为旗下众多宽能隙半导体(WBG)功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如 USB-PD、Charger and Adaptor、Server 等产品。
英飞凌CoolGaN IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。
英飞凌IGI60F1414A1L半桥架构适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 (e-mode) HEMT开关以及英飞凌 EiceDRIVER™系列中的电气隔离专用高低侧闸极驱动器。
隔离闸极驱动器具有两个数位PWM输入，让IGI60F1414A1L更易于控制。为了达到缩短开发时间、减少材料表零件项目和降低总成本等目标，整合隔离功能、明确分隔数位和电源接地以及简化 PCB 配置等，皆是不可或缺的要素。闸极驱动器采用英飞凌采用Coreless Transformer (CT) 技术，将输入与输出有效隔离。即便在电压斜率超过150 V/ns的快速切换暂态下，仍可确保稳定的表现。
IGI60F1414A1L的切换行为可简易地借由一些闸极路径的被动元件实现在不同的应用上，以降低电磁干扰 (EMI) 效应、稳态闸极电流调整和负闸极电压驱动，在硬切换开关应用中展现稳定运转。
特征描述
- 隔离闸极驱动器拥有两个数位PWM输入
- 应用程序可配置的切换行为
- 闸极驱动器具有稳定表现
- 加强散热型 8x8mm QFN-28 封装
优势
- 易于驱动，带两个数位PWM输入
- 整体BOM具有竞争力
- 通过简单的RC电路完全可配置栅极(Gate)路径
- 允许短死区时间(Dead time)设置以最大限度地提高系统效率
- 小型封装 8x8mm QFN-28易于PCB Layout布置
参考于Infineon