上一篇我们介绍了二极管，这篇就来了解下微电子时代的“开启者”-晶体管。按照结构不同，晶体管大致可分为双极性晶体管（BJT）、场效应管（MOSFET）、和绝栅双极晶体管（IGBT）。它们的主要区别在于内部端极PN结的构造。其中双极晶体管属于电流驱动器件，场效应管和绝缘栅双极晶体管属于电压驱动器件。
1、双极性晶体管（BJT）
双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型（如下图），在这三层半导体中，中间一层为基极，外侧两层分别称发射极和集电极。具有放大信号的功能。NPN型产品覆盖与低耐受电压到高耐受电压产品，而PNP型产品的电压耐受为400V或以下，其中以耐受200V或以下为主流产品。
2、场效应管（MOSFET）
MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应管，根据极性不同分N沟道和P沟道两种类型。MOSFET共有三个引脚，分别为栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source），常用的MOSFE从结构上来分为横向双扩散型场效应晶体管（Lateral Double-Diffused MOS）、平面双扩散型场效应晶体管（Planar MOS）和沟槽双扩散型场效应晶体管（Trench MOS）。以下就简单介绍下MOSFET各主要缩写参数的含义。
- ID漏极电流：ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流，该参数为结与管壳之间额定热阻和管壳温度的函数：
- PD功耗：容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。
- 雪崩能力：如果能在一定的能量、漏极电流ID范围内，并且低于额定结温Tch，则即使超过了额定电压VDSS，它也不会击穿损坏。这就是所谓的雪崩能力，允许能量被称为雪崩能量，电流被称为雪崩电流。
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电容特性：Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素：
Ciss输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）：栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。
Crss反向转移电容（Crss＝Cgd）：栅极-漏极电容：Crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。
Coss输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）：栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
4、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和IEGT
IGBT是由BJT和MOS组成的符合全控型电压驱动功率半导体器件，它将前级的电压驱动MOSFET和后级允许大电流流过的晶体管组合，是一种适合于大电流控制的器件。凭借其驱动功率小、导通压降低和控制电路简单的特点有效地解决了这一难题。
如下图所示，图示中的上半部分为一个典型的MOSFET结构，作为输入极，下半部分是PNP型晶体管结构，作为输出极。当在IGBT栅极施加正电压时，将在栅极下面的P层中形成反转层，则MOSFET导通。当它导通后可以为下半部分的PNP晶体管提供基极电流使其呈导通状态。若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管关断。
在高压电路中，IGBT由于发射极侧漂移层（N型层）的载流子浓度较低，所以难以获得低VCE(sat)特性。注入增强栅晶体管（IEGT）的开发来弥补了这一问题。IEGT也是东芝专属的器件名称和专利产品。IEGT具有和IGBT相似的结构、输出特性和驱动特性。它有一个沟槽栅结构。与IGBT相比，IEGT的栅极更深，增加了栅极至发射极的电阻从而阻止了载流子通过发射极侧，使得发射极侧的载流子浓度升高，高的载流子密度降低了漂移层的电阻，使VCE(sat)降低。
至此，晶体管这一章的内容就为大家介绍完毕了，简单总结如下：
BJT：输入阻抗低、反向电容大、安全工作区域小
MOSFET：开关速度快，导通压降大、安全工作区域大
IGBT：驱动功率小、饱和压降低、快关速度和安全区域结余BJT和MOSFET之间。
MOS管可广泛应用于电源、网络、通信、汽车电子、工业控制、医疗设备、LED照明、安防、消费类电子产品等行业。如电源类产品中的开关电源、不间断电源UPS、AC/DC、DC/DC、手机充电器等产品都有大量需求。
IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、以及轨道交通、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。如新能源汽车、充电桩市场，智能电网中的风力风电、光伏发电市场，家用电器中的白色家电、微波炉、变频空调、变频冰箱等都有需求。
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