新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品

CoolSiC™ 1200V SiC 

MOSFET低欧姆产品


CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。

产品规格：
1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封装

CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。

CoolSiC™ MOSFET是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

产品特点

• TO247封装中最大规格，最低的RDS(ON) 7mΩ

• .XT互连技术实现了同类最佳的热性能

• 最大栅极源极电压低至-10V

• 灵活的关断栅极电压选择-5V~0V

• 雪崩能力

• 短路能力

 

应用价值

• 单个器件的功率密度高

• 7mΩ单个器件的系统输出功率可做到30千瓦

• 散热能力提高15%

• 宽关断栅极电压选择，易于设计和应用

• 增强稳健性和可靠性

 

市场优势

• 经过验证并增强了封装的坚固性，具有很高的可靠性

• 完整的内部生产前端和后端，确保供应安全性

• 最新的开关和栅极驱动器技术实现了最佳性能

• 易于设计，加快了上市时间

 

应用领域

• 电动车快速充电

• 太阳能系统

• 储能系统

• 工业驱动

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