SR同步整流顾名思义，就是用低Rdson的MOS来替代整流二极管整流并提高效率降低损耗的新技术，其具体工作原理是如何的，现为大家详细解答。
SR的电路图举例：
SR的电路图举例：
SR的原理波形分析：
注：VDS为MOS的漏源间电压，VGS为MOS的栅源间电压
SR同步整流的工作原理：
第一阶段：开启阶段
当开关电流流过MOSFET的体二极管时，会通过产生一个负的VDS电压 (比如-400mV)， VDS远低于控制电路的开通阈值电压(-70mV)，然后在220ns开通延迟后打开MOSFET。一旦触发开启阈值(-70mV)，就会增加一个消隐时间(最小到导通时间约为~1us)，在此期间关闭阈值将从0mV变为+50mV。该消隐时间有助于避免由于同步电源开关的开断振铃引起的错误触发开通阈值。
第二阶段：导通阶段
当开通MOSFET, VDS随着开关电流(ISD)的下降而上升,一旦VDS高于开启阈值(-70 mv),控制电路停止给栅极供电，这样MOSFET的驱动电压将下降,这使得MOSFET的Rdson电阻变大。通过这样做，VDS被调整到-70mV左右，即使开关电流ISD相当小，这个功能可以使内部驱动器的关断阈值(0mV)永远不会触发，直到通过MOSFET的电流下降到接近零。
第三阶段：关断阶段
当VDS上升触发关断阈值(30mV)时，控制电路在经历22ns关断延时后，将开关的驱动电压拉低。与开通情况类似，在经历一个月1.7us的消隐时间，控制器将关闭。在此期间MOSFET永远不打开，以避免错误触发。
至于ISD在上述过程中,重载时ISD的电流波形如下：
以上是同步整流的工作原理的解答，仔细了解，让我们对SR同步整流有更深刻的认识。
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