摘要：
在一些非稳态的情况下，Vgs有可能因为杂讯干扰、电路特性等成因产生瞬间大突波。这时候往往会担心，到底Vgs突波会不会导致开关误动作，而产生short through现象，如图一所示。
实际上Vgs并非有电就会有产生导通现象，而是需要由两个参数作为条件。
Vgs(th) & td(on).，请见图二、图三。
MOS 初导通的条件 : 电压超过Vgs(th) 且持续时间大于td (on)
当电压超过Vgs(th)，id便会有微弱电流爬升。
而当经过td(on)时，Vds开始下降，则电流可视为完全流过MOS。
这两个参数都于datasheet可以搜寻的到
Ex.以IPW60R040C7为例：
MOS Vgs完整充电行为：
而整个MOS 进入到完全导通状态其实需要经过完整t1~t3区间。
当栅极连接到电源电压时，VGS 开始增加，直到达到 Vth，此时漏极电流开始流动，CGS 开始充电。
在 t1 到 t2 期间，CGS 继续充电，栅极电压继续上升，漏极电流按比例上升。在时间t2，CGS完全充电，漏极电流达到预定电流ID并保持恒定，同时漏极电压开始下降。
参考图四所示的 MOSFET 等效电路模型，可以看出，当 CGS 在 t2 充满电时，VGS 变为恒定，驱动电流开始对米勒电容 CDG 充电。这一直持续到时间 t3
由于 t2 和 t3 之间的快速变化的漏极电压（电流 = C dv/dt），米勒电容的充电时间大于栅源电容 CGS 的充电时间。
一旦电容 CGS 和 CGD 都被完全充电，栅极电压 (VGS) 再次开始增加，直到它在时间 t4 达到电源电压。
对应于时间 t3 的栅极电荷 (QGS + QGD) 是开启器件所需的最低电荷。
结论：
由上述可知，单论MOS导通有好几种可能性
- 1:Vgs > Vgs(th) 的初导通
- 2:Vgs > Vgs(th) & t > td(on) 的MOS 导通
- 3:以及克服完整Miller平台后的MOS 全导通三者。
唯有Vgs突波波形条件比可能性2更大时，MOS才有误开并且损伤的风险。
参考资料：
a) https://www.infineon.com/dgdl/mosfet.pdf?fileId=5546d462533600a4015357444e913f4f&redirId=117673
b) https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/n-channel/500v-950v/ipw60r040c7/