根据TFT的制造技术和材料分类，主要有a-Si（非晶硅）、HTPS（高温多晶硅）、LTPS（低温多晶硅）、IGZO（铟镓锌氧化物）、LTPO（低温多晶氧化物）
a-Si（非晶硅）
成熟，简单，成本低，应用最广泛的技术。但非晶硅 TFT 电子迁移率很低，为了保证晶体管性能不得不把晶体管做大，用于屏幕这就限制了像素开口率（显示部分的面积占比）。所以非晶硅TFT更适合制造电视、显示器、笔记本等大尺寸屏幕，尺寸越大相应的像素开口率越大，非晶硅的缺点越不明显。所以直到现在大尺寸面板绝大部分都是非晶硅。以前手机等小尺寸也用非晶硅，现在逐渐被淘汰了。
HTPS（高温多晶硅）
用高温烧结把非晶硅转变成多晶硅的技术就叫高温多晶硅。高温多晶硅 TFT 电子迁移率最高，但高温烧结工艺要求基板需要耐高温，所以只能使用水晶玻璃。一般HTPS用于制造超小尺寸面板，比如相机里的电子取景器
LTPS（低温多晶硅）
跟高温多晶硅的区别是低温多晶硅采用激光加热生成多晶硅。因为基板不需要耐那么高的温度，LTPS继承了HTPS优点，同时还适合制造中小尺寸面板。所以大多数手机屏幕就淘汰了a-Si用上了LTPS。
IGZO（铟镓锌氧化物）
氧化物TFT 制造流程类似a-Si，它的电子迁移率比a-Si高几十倍但还是不如LTPS。IGZO和a-Si一样没有尺寸限制，所以以前有两种观点：一种认为IGZO通吃大小尺寸成本也比较低，将会摧枯拉朽一统大小尺寸各种面板。另一种观点认为a-Si对大尺寸足够用，中小尺寸IGZO对LTPS没有明显优势，IGZO谁也替代不了。当然现在我们知道第二种观点赢了。
LTPO（低温多晶氧化物）
LTPO它终于出场了。LTPO是LTPS和IGZO的混合产物。最早使用这种技术的量产产品就是Apple Watch Serial 4，然后是三星Note20U、S21U两款手机屏幕。为什么TFT要混用两种技术呢？我们结合厂商申请的相关专利来看：
1.苹果的LTPO专利向我们介绍了两种TFT 的主要区别：LTPS晶体管有更好的开关速度，响应快，更强的电流驱动能力。IGZO氧化物晶体管漏电低，均一性高。考虑二者的特点，IGZO更适用于switching tft（T1）部分，其他TFT晶体管仍然更适合采用LTPS。
2.京东方的LTPO专利描述了比较多的信息：
- LTPS电子迁移率大使得漏电流也比较大，低频驱动功耗较大，难以保持静态黑，画面差
- 为了降低漏电需要把LTPS TFT 做大，影响分辨率、PPI
- LTPS迟滞较大，容易出现残影
- IGZO氧化物TFT与上面的LTPO缺点形成互补
功耗方面，OLED屏幕主要有两部分耗电：
- OLED点亮本身要耗电，而且占了大多数功耗。
- 给电容反复充电要耗电。
显然给电容重新充电的频率越高这部分耗电越多。所以降低刷新率是可以降低这部分功耗的。另一方面晶体管导通有电阻（对应上面专利中讲的电流驱动能力强弱），所以给电容充电时有一点损耗，这也会导致频繁充电功耗增加。不过因为第二部分功耗本身不大，所以在怎么降功耗也是有限的。而且IGZO晶体管的电流驱动能力比LTPS弱，损耗还相对大一些。查到的数据显示LTPO可降低5%-15%。但是还没查到更多可靠数据来佐证。
LTPO另一个有点是可能提升OLED屏幕低亮度下的画质。由于LTPS的漏电和TFT均一性较差等原因，低亮度下drving tft（T2）的栅极电压容易偏移，表现出来就是像下面这样脏屏、低亮度偏色等问题
总结
LTPO屏幕是将switching tft部分从LTPS替换成IGZO晶体管。IGZO晶体管低漏电可以使OLED低刷新率的情况下功耗降低，同时避免LTPS漏电可能造成的低刷新率显示异常。IGZO晶体管有更好的均一性，这可能能减少LTPS OLED屏幕低亮度下脏屏、偏色等问题。
关于所谓自适应刷新率，实际上这是由驱动芯片（DDIC）决定的，LTPO决定的是屏幕在超低刷新率情况下显示不出现问题。
LTPO可能是OLED未来发展的大方向，可能逐渐替代传统LTPS技术。但LTPO目前带来的提升有限，而制造工艺复杂，成本更高，短期内还是以LTPS技术为主流。甚至未来OLED屏幕技术进步不再需要LTPO来弥补缺点了，LTPO还可能退出市场。
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