采用增强模式GaN HEMT的高级准谐振离线高压变换器
产品说明
VIPerGaN65是一款高压转换器，内嵌先进的PWM控制器和650V GaN功率晶体管，专为单开关反激式转换器而设计。ViperGaN65采用微型QFN 5x6封装，在同类产品中具有体积优势，能够管理最高65W的功率。GaN功率元件具有小尺寸、高性能和高开关频率等特点，支持高功率密度的高度集成化设计，最终促成了速度更快、重量更轻、体积更小且便于携带的USB-PD充电器。
在全球节能减排的大趋势下，其较低的待机功耗为减少能源使用作出了直接贡献，符合在未来几十年实现二氧化碳零排放的长远目标要求该元件可实现准谐振操作，具有动态消隐时间和谷同步功能，以降低开关损耗，并使所有输入线路和负载条件下的整体效率得到有效提升。先进的低静态功耗电源管理有助于实现低待机功耗。前馈补偿能有效降低整个输入电压范围内的输入峰值功率变化。
该元件支持次级侧调节（SSR）反激式配置（使用标准光耦合器）。
产品说明
VIPerGaN65是一款高压转换器，内嵌先进的PWM控制器和650V GaN功率晶体管，专为单开关反激式转换器而设计。ViperGaN65采用微型QFN 5x6封装，在同类产品中具有体积优势，能够管理最高65W的功率。GaN功率元件具有小尺寸、高性能和高开关频率等特点，支持高功率密度的高度集成化设计，最终促成了速度更快、重量更轻、体积更小且便于携带的USB-PD充电器。
在全球节能减排的大趋势下，其较低的待机功耗为减少能源使用作出了直接贡献，符合在未来几十年实现二氧化碳零排放的长远目标要求该元件可实现准谐振操作，具有动态消隐时间和谷同步功能，以降低开关损耗，并使所有输入线路和负载条件下的整体效率得到有效提升。先进的低静态功耗电源管理有助于实现低待机功耗。前馈补偿能有效降低整个输入电压范围内的输入峰值功率变化。
该元件支持次级侧调节（SSR）反激式配置（使用标准光耦合器）。
产品特色
• 准谐振（QR）反激控制器
• 650 V E模式功率GaN晶体管
• 嵌入式传感场效应晶体管
• 动态消隐时间和可调节谷同步延迟功能，可显著提升所有输入线路和负载条件下的效率
• 谷值锁定确保持续跃谷
• 高级电源管理， 自适应突发模式下的待机功耗低于30mW
• 输出OVP保护
• 针对独立电源OPP变化的输入电压前馈补偿
• 过压和欠压保护
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