高侧开关控制器（带智能熔断保护），适用于12V、 24V以及48V汽车应用
产品说明
该器件是面向高侧配置中功率MOSFET的高级控制器，其设计目的是实现面向12V、24V和48V汽车应用的智能高侧开关。控制IC通过兼容3.3 V和5 V CMOS的SPI接口与主微控制器连接，为系统提供保护和诊断。
产品特色
–SPI从接口用于主机控制
–32位ST-SPI接口，兼容3.3 V和5 V CMOS电平
–2级电荷泵
– 通过外部高侧分流电阻，由SPI实现高精度单向数字电流检测
–为一个NTC电阻提供输入，用于监测外部MOSFET温度
–待机电流极低
–通过内部和外部控制实现稳健的故障安全功能
–由专用数字输入引脚锁定SPI寄存器
–集成式ADC，用于TJ、VNTC、VOUT和VDS转换
• 保护
–电池欠压关断
–可通过SPI配置外部MOSFET去饱和关断
–可通过SPI配置强短路闭锁
产品说明
该器件是面向高侧配置中功率MOSFET的高级控制器，其设计目的是实现面向12V、24V和48V汽车应用的智能高侧开关。控制IC通过兼容3.3 V和5 V CMOS的SPI接口与主微控制器连接，为系统提供保护和诊断。
产品特色
–SPI从接口用于主机控制
–32位ST-SPI接口，兼容3.3 V和5 V CMOS电平
–2级电荷泵
– 通过外部高侧分流电阻，由SPI实现高精度单向数字电流检测
–为一个NTC电阻提供输入，用于监测外部MOSFET温度
–待机电流极低
–通过内部和外部控制实现稳健的故障安全功能
–由专用数字输入引脚锁定SPI寄存器
–集成式ADC，用于TJ、VNTC、VOUT和VDS转换
• 保护
–电池欠压关断
–可通过SPI配置外部MOSFET去饱和关断
–可通过SPI配置强短路闭锁
–可通过SPI配置“电流 vs 时间闭锁”（熔断仿真）
– 器件超温关断
– 外部MOSFET超温关断
产品优势
适合汽车配电应用。该器件内嵌意法半导体的专利型“I2-t”功能，可以替代熔化型保险丝和继电器。该功能实现了高粒度的保险丝仿真，确保了电线尺寸优化，对车辆的布线系统和总体电缆重量产生积极影响，从而减少了CO2排放。
原厂产品介绍： VNF1048FTR 点击链接→
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