英飞凌 IGBT 模块的说明
模组有那些总类与型式?
为什么需要模组?
什么时候需要用到模组?
我该选用模组或是单管?
我的应用空间是否足够?
模组有那些总类与型式?
…以上，都是工程师在面对新的专案的时候常常会面对到的问题。
本篇先仅就IGBT module几项重要参数进行说明，以便工程师可以在设计前期有一些选型的参考依据标准。
首先我们先来了解IGBT 模组的datasheet 标示涵意:
Data Sheet 上的标示说明:
♦ 型号名称
数据表的第一部分以模块的型号命名开始，如下图所示:
- Module Topology(模组内部电路图拓朴)
♦常用的几种包装的内部拓朴:
◊ FF(Dual Switch):
◊ FZ(Single Switch):
◊ FS(3phas Full Bridge—Sixpack):
◊ FP(Power integrated Module)
◊ F4(H Bridge):
◊ F3L(3-Level one leg IGBT module)
◊ DF(Booster)
◊ FD (Chopper configuration)
◊ 电流等级与工作电压:
06=600V ,
07=650V ,
12=1200V,
17=1700V
◊ 功能性(Functionality):
R:Reverse conducting,
S:Fast diode,
T:Reverse blocking.
◊ 包装机械构造(Mechanical construction)
K: Mechanical construction.
H: Package: IHM / IHV B-Series.
I:Package:PrimePACK
M:Econo Dual
N1~3:EconoPACK 1~3
O:EconoPACK+
P: EconoPACK4
U1~3:Package:Smart 1~3
V:Easy 750
W1~3:EasyPACK, EasyPIM 1~3
※有关包装尺寸与图片将以另行篇幅描述
◊ 芯片类型Chip Type
F:Fast switching IGBT chip
H:High speed IGBT chip
J:SiC JFET chip
L:Low Loss IGBT chip
S:Fast trench IGBT chip
E:Low Sat & fast IGBT chip
T:Fast trench IGBT
P:Soft switching trench IGBT
※有关芯片类型与应用场合将以另行篇幅描述
◊ 模组特性(Particularity of the module)
C:With Emitter Controlled-Diode
D:Higher diode current
F:With very fast switching diode
G:Module in big housing
I:Integrated cooling
P:Pre-applied thermal interface material
R:Reduced numbers of pins
T:Low temperature type
-K:Design with common cathode
※有关模组特性将与芯片类型以另行篇幅描述
◊ 结构变化Construction variation
B1~n: Construction variation
S1~n: Electrical selection
末:
Infineon 的IGBT Module 总类齐全且多样、丰富，但也不一定都是热门且库存稳定，若无从下手，或是希望能够避免花了时间选型选到非大宗用料，欢迎拨冗与SAC的业务或PM 取得联系。
- IGBT Module product selection table:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/igbt-modules/
<本篇未完，待续>
本内容图文引用自英飞凌官方网站:
- AN2011-05 Industrial IGBT Modules Explanation of Technical Information
注1. 作者: Infineon Technologies AG
评论