真实充放电过程（以黒态电压来说明）：
VDD=4.6V、VSS=-3V、VREF=-4V；黒态Vdata=6.2V。
1.初态（T1阶段末）: M3的电流为 I=W/2L×μCox×(Vdata-VREF+Vth)2 ，此时由于VREF与Vdata压差为10V，电流高达uA量级。
2.放电过程（T2阶段）: M3的电流为 I=W/2L×μCox×(Vdata-Vg+Vth)2 ，随着放电过程，（Vdata-Vg+Vth）不断降低，而I 与此呈平方关系，因此I 的衰减速度远远大于电压；
R=(Vdata-Vg)/I=(Vdata-Vg)/(W/2L×μCox×(Vdata-Vg+Vth)2) ，因此该过程为可变电阻放电过程，随放电时间，电流急剧减少；实际仿真和测试结果显示，实际放电时间远大于6us才能充分。3.放电末态（T2阶段结束时）: 由于放电不充分，此时栅压为Vg=Vdata+Vth-Verror，此时补偿后的M3最终电流为 I=W/2L×μCox×(VDD-Vdata+Verror)2。
可见虽然补偿了Vth，但存在误差电压Verror（数值约1~1.5V），因此Vth的均一性问题转变为充放电的均一性问题。
Vth理想的补偿
理想的补偿结果是消除Vth，M3的电流为 I=W/2L×μCox×(VDD-Vdata)2。
补偿后的公式中，仍然存在μ，Cox等均一性问题；实际TEG测试数据显示，μ误差最高可达10%，Cox均一性与GI厚度均一性一致；
实际补偿分析
实际补偿后M3的近似电流为 I=W/2L×μCox×(VDD-Vdata+Verror)2
由于Verror为放电不足产生，因此Verror与放电电流有关，放电电流越大，Verror越小；即μCox越大，Verror越小。
若将电流公式分成两部分，I=A×B，其中：
A=W/2L×μCox
B=(VDD-Vdata+Verror)2
从上述分析可以看到，当A减少时，B将增大；因此需要适当控制A减少的比例k，使B增加的比例h满足（1-k）（1+h）趋于100%即可使电流获得最佳补偿。
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