Vishay 高压4.5V to 60V input, 2A, 4A, 6A, 10A Vishay microBuck SC46x 设计与布局走线介绍！
SiC46x 使用5x5 MLP55-27L包装。
SiC46x脚位设计拥有ULTRASONIC避免Audio Noise与SS pin灵活的缓启动设置！搭配COMP与FSW让RD设计更灵活！
SiC46x系列产品从2A, 4A, 6A, 10A皆为Pin to Pin产品, 让RD可以自由选择使用状况, 避免Re-Desig 。
优于业界的绝对最大额定值 VIN高达66V
宽广的4.5V to 60V满足更多应用场景!
内部方块图建置UVLO & Over voltage & Over current & Over temperature完整保护客户电路!
灵活的外部电阻自由设定Power SAVE MODE
6V to 60V input to 5V Output at 6A 参考线路
搭配RLIM设定更精准的Over current保护点!
陶瓷电容建议靠近IC达到最佳去耦合影响, 使用1210或0603(C12=Cin1下到PGND), 小的容值可以提供更好的高频响应!
VCIN是提供内部LDO与Ton使用Cin2=C2要越近越好，可以通过Via将电容摆放到Bottom层, 但须注意VIA孔径！IC Pin一出来就透过VIA到Bottom层经过Cin2=C2直接到AGND！
SiC46x 使用5x5 MLP55-27L包装。
SiC46x脚位设计拥有ULTRASONIC避免Audio Noise与SS pin灵活的缓启动设置！搭配COMP与FSW让RD设计更灵活！
SiC46x系列产品从2A, 4A, 6A, 10A皆为Pin to Pin产品, 让RD可以自由选择使用状况, 避免Re-Desig 。
优于业界的绝对最大额定值 VIN高达66V
宽广的4.5V to 60V满足更多应用场景!
内部方块图建置UVLO & Over voltage & Over current & Over temperature完整保护客户电路!
灵活的外部电阻自由设定Power SAVE MODE
6V to 60V input to 5V Output at 6A 参考线路
搭配RLIM设定更精准的Over current保护点!
陶瓷电容建议靠近IC达到最佳去耦合影响, 使用1210或0603(C12=Cin1下到PGND), 小的容值可以提供更好的高频响应!
VCIN是提供内部LDO与Ton使用Cin2=C2要越近越好，可以通过Via将电容摆放到Bottom层, 但须注意VIA孔径！IC Pin一出来就透过VIA到Bottom层经过Cin2=C2直接到AGND！
SW与电感plane可以大一些以得到更低等校电阻，可以将Snubber电路放到bottom层，但须注意中间层面须隔离避免SW感扰其他讯号！
CVDD电容需摆放在VDD与AGND之间达到最佳抗躁能力，CVDRV需摆放在VDRV与PGND之间并且越近越好，减少影响trace impedance并且提供最大驱动电流for Low side MOSFET 开关使用。
CBOOT and RBOOT离IC越近越好，为了减少寄生电感建议R&C使用0402包装！
小讯号控制摆放在IC右侧并且靠近IC。
散热孔与散热走线建议参考原厂设计！
建议整个内层的ground plane左边PGND右边ANGD，透过VIA再到Top Layer。
SiC46x 系列产品完整的保护机制有2A & 4A & 6A & 10A版本。
基本IC 包装资讯！
PCB Land Pattern尺寸
以上先关资料来源来自于Vishay 台湾威世有限公司
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