具有双输出和四输出的超低功耗16 Mb SPI Page EEPROM
产品说明
M95P16-I是一种高密度的页可擦除式SPI EEPROM存储器,兼具灵活性、高性能,以及超低功耗等特点。它是一种一体式非易失性存储解决方案,适用于需要外部NVM的超低功耗系统,用于通过RAM执行前的固件下载进行引导;通过OTA上传固件版本;并运行参数监测、数据日志或事件记录。 16 Mb Page EEPROM易于使用,具有字节灵活性,与现有解决方案相比,电流峰值可控,功耗大幅降低,为设计依靠电池运行的小型模块开辟了新的可能性。快速擦除和编程时间可缩短固件OTA更新期间的应用延迟时间。最后,高耐用性与错误代码校正相结合,使其成为市场上非常可靠的NVM设备之一。M95P16-I目前采用SO8N封装,而DFN2X3和WLCSP较小封装将于今年晚些时候推出。
产品特色
• 16 Mb (2 MB) SPi Page EEPROM
• 字节写入灵活性
• 512字节写入页面
• 1.6 V至3.6 V
• 温度范围-40°C至+85°C
• 80 MHz四路输出SPI接口
• 用于快速编程的缓冲加载模式
• 30 µs快速唤醒
• 10 MHz读取时间为0.5 mA
• 2.5 ms典型页面写入时间
• 1.1 ms典型页面擦除时间
• 1.2 ms典型页面编程时间
• 每页500,000次写入
• 数据保存时间长达100年
产品优势
• 优化了初始数据上传,减少了生产时间
• 在应用启动时可以快速进行数据访问
产品说明
M95P16-I是一种高密度的页可擦除式SPI EEPROM存储器,兼具灵活性、高性能,以及超低功耗等特点。它是一种一体式非易失性存储解决方案,适用于需要外部NVM的超低功耗系统,用于通过RAM执行前的固件下载进行引导;通过OTA上传固件版本;并运行参数监测、数据日志或事件记录。 16 Mb Page EEPROM易于使用,具有字节灵活性,与现有解决方案相比,电流峰值可控,功耗大幅降低,为设计依靠电池运行的小型模块开辟了新的可能性。快速擦除和编程时间可缩短固件OTA更新期间的应用延迟时间。最后,高耐用性与错误代码校正相结合,使其成为市场上非常可靠的NVM设备之一。M95P16-I目前采用SO8N封装,而DFN2X3和WLCSP较小封装将于今年晚些时候推出。
产品特色
• 16 Mb (2 MB) SPi Page EEPROM
• 字节写入灵活性
• 512字节写入页面
• 1.6 V至3.6 V
• 温度范围-40°C至+85°C
• 80 MHz四路输出SPI接口
• 用于快速编程的缓冲加载模式
• 30 µs快速唤醒
• 10 MHz读取时间为0.5 mA
• 2.5 ms典型页面写入时间
• 1.1 ms典型页面擦除时间
• 1.2 ms典型页面编程时间
• 每页500,000次写入
• 数据保存时间长达100年
产品优势
• 优化了初始数据上传,减少了生产时间
• 在应用启动时可以快速进行数据访问
• 通过OTA更新固件,减少了系统停机时间
• 灵活的数据日志和事件记录,无需软件仿真,也无需磨损均衡
• 即使在密集使用时,运行功率预算也非常低
• 非易失性存储器将代码和数据存储在同一器件中,降低了物料成本
推荐应用
需要数据记录和固件更新的超低功耗应用
相关信息
https://www.st.com/resource/en/product_presentation/page-eeprom-presentation.pdf
https://www.st.com/resource/en/application_note/an5747-page-eeprom-memory-architecture-stmicroelectronics.pdf
原厂产品介绍:M95P16-I 点击链接→
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