电流隔离式3 A单栅极驱动器，用于增强模式GaN FET
产品说明
STGAP2GS和STGAP2GSN均为用于增强模式GaN功率晶体管的电流隔离式单通道栅极驱动器，它们分别采用SO8宽封装和SO8标准封装，可利用最新的电流隔离技术为小型GaN提供合适的隔离式驱动器。
该栅极驱动器支持2A供电电流、3A受电电流和轨到轨输出，因此也适用于工业应用中的功率转换、电机驱动逆变器等中到高功率应用。
该器件在整个温度范围内的dv/dt瞬态抗扰度可达±100V/ns，从而确保了其在面对瞬态电压时具有出色的稳健性。
该器件支持配置独立的电流拉灌选项，可在轻松实现栅极驱动的同时，通过专用电阻实现独立的导通和关断优化。
该器件集成了多个保护功能，包括可在结温达到设定阈值时降低驱动器输出的热关断功能，以及优化级别适合增强模式GaN FET的UVLO功能，因此可轻松帮助用户设计出高效可靠的系统。双输入引脚允许选择信号极性控制和实现HW联锁保护，以避免交叉传导。
输入到输出的传播延迟小于45 ns，可实现极高的PWM控制精度。
可以使用待机模式来降低空闲时的功耗。
低至3.3 V的CMOS/TTL兼容逻辑输入可确保器件与微控制器和DSP外设的接口直接连接。
产品特色
STGAPGS/STGAP2GSN是一款在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间STGAPGS/STGAP2GSN是一款在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电隔离的单栅极驱动器。
主要特性：
• 高达15V的栅极驱动电压
• 驱动器电流能力2 A / 3 A供电/受电
• dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns · 45ns的传播延迟
• 独立的电流拉灌选项，可轻松实现栅极驱动调节
• 3.3V / 5V的逻辑输入· 针对GaN优化过的UVLO功能
• 热关断保护· 待机功能· 宽体SO-8W封装和窄体SO8封装
原厂产品介绍：STGAP2GSCTR 点击链接→
评论