前照式 与 背照式 CMOS sensor 概论

前照式CMOS ( FrontSide Illumination，简写为 FSI)

CMOS 是由很多个层别所构成, 在传统 FSI sensor  结构中，由上至下主要为 微镜头（Micro-lens）、彩色滤光镜（Color Filter）、电路层（Wiring Layers）和光电二极体（Photodiodes）。
这几个层面所构成

这样子的结构,相信大家都可以明显看出来：中间的电路层所占据的面积极大，光电二极体能够占的面积就小，CMOS 实际从外部近来的光线就少。 对于一些像是手机、等小型影像设备来说，
就表示这样的结构难以再让光源量加大也就是成像质量难以再提升，其中最容易发现的就是在高 ISO 或低照度时拍摄时的噪点、杂讯明显偏多。 

背照式CMOS (Back-Illuminated CMOS，简写为 BSI)

 在背照式 BSI sensor 的 结构中，我们将光电二极体和电路层的的位置做了上下调换，自上至下依次为微透镜（Micro-lens）、彩色滤光镜（Color Filter）、光电二极体（Photodiodes）和电路层（Wiring Layers）。 

1. 光电二极体可以接收到更多外部的光源使得 CMOS 能提升影像灵敏度和信噪比，改善高 ISO 以及低照度下的成像品质。

2. 有足够大的面积可以让电路使用,无需再和光电二极体影响，可以设计更高速的电路，以达到高像素 ,高速,连拍等功能。