EVERLIGHT  ELM 435高速光耦(1Mbps)电路设计

1.功能说明:

光电耦合元件是以光(含可见光、红外线等)作为媒介来传输信号的一种元件,主要功能是让 输入及输出电路以隔离的方式传送电信号,光电耦合元件(英语:optical coupler,或英语:photo  coupler),亦称光耦合器、光隔离器以及光电隔离器,简称光耦。光电耦合元件可以在两个不共 地的电路之间传送信号,即使两电路之间有高电压差也不会互相影响,还能提高其抗干扰能力和 可靠度及稳定性;高速光耦大多用在需要隔离的两个高速通讯界面之间。可应用在 RS232、CAN、 SPI、I2C或 RS485/422…等通讯界面及 PLC 高速计数器、伺服电机控制、旋转编码器控制、PLC 与 MCU 之间的信号转换…等应用。 

2.讯号特性:

1Mbps  系列的高速光耦,输出端采用  Photodiode  加上  Transistor  放大电路的架构, Photodiode 响应速度较快,将光讯号转换成光电流后,经由电晶体将讯号放大,以便实现高速 通讯资料传输,以下用 ELM453 为例说明在设计电路上首先要了解的参数。 

1.电流传输比(Current Transfer Ratio , CTR) : 流传输比(CTR)的定义为输出电流和输入电流的比值(Io /IF∗ 100%),主要用来计算负载电阻值的选用,表1为制规的测试规范,其量测方式如图 1 所示。 

 
表1 CTR 测试规范 

 

  
图1CTR 测试电路

2.逻辑电压 : 在数位传输中,讯号用高、低电压来表示逻辑讯号的 1 和 0。如图 2 所示,输出电压的规范以VOH和VOL表示,VOH定义为逻辑 1 的最低输出电压,VOL定义为逻辑 0 的最高输出电 压;输入电压的规范以VIH和VIL表示,VIH定义为逻辑 1 的最低输入电压,VIL定义为逻辑 0 的 最高输入电压。 
  
图 2 逻辑电压定义 

 

 注)VOH:Output Voltage in High
         VOL:Output Voltage in Low  VIH:Input Voltage in High 
           VIL:Input Voltage in Low 


逻辑电路中,常会因静电或磁场的干扰,进而在线路上感应出电压,此种不属于原电路 的讯号即为杂讯,而抵抗此杂讯的能力,称为杂讯容忍度(Noise margin)。如图 3 所示。在 电路设计上,ELM453  Vo(pin5)的输出电压VOH,应高过于 Receiving Device 的VIH,并且 VOL低于VIL,才能正确的判断讯号。

                图 3 杂讯容忍度


3.传播延迟时间(Propagation delay) : 输入讯号经过光耦转换,会延迟一段时间后,输出讯号才会反应,TPHL表示输出讯号的电压从高准位降至低准位的时间,TPLH表示输出讯号的电压从低准位上升至高准位的时间。 如表格 2 所示,测试条件为IF=16mA、RL=1.9KΩ。图 4 为测试电路及各参数定义的时间 轴。  

      
表格 2 Propagation Delay Time 测试规范

    

图 5 Transient Immunity Test Circuit & Waveform


3.电路设计:

图 4 为 ELM453 应用电路范例,将其分成输入端与输出端两部分。 

  1. 输入端:以 Control pin 控制 NPN 电晶体,将讯号以光的方式传送至输出端。
  2. 输出端:Open collector 架构,因此需要加上 pull-high 电阻 RL,以维持高准位时的电压值。Vcc需要加上 bypass 电容 0.1uF,用来过滤电源杂讯。        
图 4 应用电路范例

CTR  会因为IF的大小而增减,如图  5  所示,当IF为  5mA  时,CTR  降至  0.92  倍,此时 CTR%=20~50%便会降底至 18.4%~46%。当受到温度的影响时,如图6所示,温度从 25℃上 升至 85℃时,倍数增加到 1.2 倍,此时 CTR%=20~50%,便会增加至 24~60%。当两个条件同 时成立时,可以将两者的倍数相乘,即 0.92*1.2≒1.1,因此 CTR%=20~50%,便会增加至 22~55%,

此时Io=1.1~2.75mA,Io太小,可能会造成VOL低于VIL的情况发生。      

     图 5 Current Transfer Ratio vs Forward Current         图 6 Current Transfer Ratio vs Ambient Temperature 

  


影响到TPLH与TPHL的外部条件主要为IF与 RL,如图 7 所示,RL 影响最大,尤其在 RL=3KΩ 后的TPLH极速上升,加上为了避免因IF电流降低,造成VOL低于VIL的情况发生,因此建议可采用IF =16mA、RL=1.9KΩ的条件,此条件与制规相同,可直接套用 CTR%范围,评估 CTR%下限是 否能正常工作。 

假设Vcc=5V、Ta=25℃: 
@IF=16mA、CTR%(min)=20%、Io=16mA*20%=3.2mA。 
@RL=1.9KΩ、VRL=3.2m*1.9K=6.08V>Vcc,评估Io实际电流<3.2mA。 
假设VO=0.4V、Io=(5-0.4)/1.9K=2.42mA,故实际电流为 2.42mA。 

温度上升,CTR 倍率是增加的,因此同样也可满足温升后的条件。但温度降低后 CTR 是 衰减的,可参考前述计算方式自行评估。 

  
图7Propagation Delay vs. Load Resistance 

 
当使用高速光耦应用问答:

Q/A  1 问:高速光耦的主要应用是什么?
            答:高速光耦器件常用于电气与光学之间的数据传输和隔离应用。它们可以将高速的电信号转换成光信号,以达到隔离和抗干扰的目的,同时保持高速数据传输的能力。

Q/A 2 问:高速光耦的典型应用有哪些
           答:高速光耦器件广泛应用于以下领域:
                  高速通信系统:用于光纤通信、光纤传输和光纤接口。
                 工业自动化:在工业控制系统中用于隔离和传输高速数据信号。
                 医疗设备:用于医学影像设备、医疗器械和医疗检测系统。
                 测试和测量仪器:在高速数据传输和信号隔离方面的应用。
                 高速数据存储:用于存储系统中的高速数据读写和传输。

Q/A 3 问:高速光耦的工作原理是什么?
           答:高速光耦由发光二极管(LED)和光敏电晶体(Phototransistor)组成。LED发光时,产生的光信号通过绝缘层,照射在光敏电晶体上。
                  光敏电晶体吸收光信号并产生电流,从而实现光信号到电信号的转换。

Q/A 4 问:高速光耦的优点是什么
           答:高速光耦具有以下优点:
                  高速传输:能够实现高速的数据传输,支持高频率信号的隔离和传输。
                  隔离能力:能够隔离高电压或高噪声环境下的信号,保护数据传

Q/A5问:隔离性:
                高速光耦通常用于隔离不同的电路或系统,以防止干扰或提供电气隔离。确保选择具有良好隔离性能的高速光耦,以确保信号的隔离和保护。 

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参考来源

https://www.everlight.com/download/高速光耦1mbps電路設計繁-v1-0/: