并联功率 MOSFET-释放大电流应用所需的MOSFET功率

作者：英飞凌官微

如今，在这个电气化的世界里，人们越来越依赖使用直流电池作为电源的高效电动应用，为了实现大功率应用的持久性能，电池供电应用需要低电压和高电流，因此大多数应用都要求器件具备更高的功率能力。



在DIY和园艺工具以及小型摩托车和叉车等轻型电动车应用中，单个 MOSFET 远远不够。在这些应用中，设计人员必须在多个并联 MOSFET 中分担电流负载。在并联连接 MOSFET 的同时，还要确保包括安全操作和可靠性在内的稳健设计，这是一项挑战。在开关条件下实现并联会更加困难，随着频率的增加，更是如此。设计人员在并联MOSFET时，必须了解、确保 MOSFET 之间合理的电流平衡，还要了解影响均流、导通损耗、开关损耗的 MOSFET 参数，以及栅极阈值电压对器件温度的重要性，但设计人员对并联器件之间的均流往往理解不够透彻，因此如果处理不当，可能会在现场引起意外的系统故障。



为此，英飞凌开发了附属产品来应对这些挑战，一流的 OptiMOS™ LV/MV MOSFET和 CoolMOS™ HV MOSFET 旨在提供最高效率和最高功率密度的极致性能，同时，英飞凌还可提供解决方案，用于帮助设计人员在设计功率转换器时应用正确的方法。

低压应用对更高功率容量日益增长的需求，提高了工程师对并联MOSFET，量化MOSFET之间非理想均流情况下所需域度的要求。这些应用通常由低于200V的直流供电，使用并联MOSFET不仅可以降低导通损耗和电源温度，还能提高功率转换器的效率。

英飞凌并联功率 MOSFET的主要优势：

• 提高电源效率

• 减少并联MOSFETs的数量

• 降低工作温度

• 减少传导损耗

• 延长使用寿命

核心应用目标

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原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/kBzh08lG2JuZ7SbdsH8gkA

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