HiP247-4封装SiC MOSFET测试平台

一：商品介绍

         
         STDES-SICGP4参考设计允许评估半桥拓扑中的HiP247-4（四引线）封装-功率SiC MOSFET的开关和热性能。

         MOSFET由隔离栅极驱动器控制。驱动器由隔离的DC-DC转换器供电。

         该系统需要连接外部电感器、电源、负载、辅助电源和PWM信号。它可用于测试降压或升压配置下的操作。

         可以使用低电感分流器或组装同轴分流器来测量通过低侧MOSFET的电流。从这个角度来看，该板可以用作双脉冲测试（DPT）的工具，以测量过冲（电压和电流）、速度（di/dt；dv/dt）和开关能量（EON；EOFF；ERR）。

二：原理方框图

三：展示板PCB图




四：规格说明

      1，在HiP247-4封装中用功率SiC MOSFET组装的半桥结构

      2，由为SiC MOSFET优化的STGAP2HS电流隔离栅极驱动器驱动的半桥

      3，由基于L6986I的隔离飞降压转换器提供的隔离栅极驱动器

      4，隔离栅极驱动器输出级的预设+18V/-3V电源电压

      5，可以设置特定的栅极电压、正电平和负电平

      6，设置栅极电阻器的可能性

      7，低电感感应电阻器

      8，为更高带宽的电流测量准备同轴分流电阻器

      9，规格：最大.直流输入/输出电压：1 kV输入电流电平峰值（持续时间可达100μs）：69 A


『全文』(作者：ST；出處：STDES-SICGP4 - Testing platform of SiC MOSFETs in HiP247-4 package - STMicroelectronics)