LD6612 是一款 USB 供电 (USB PD) Type-C控制器位于次级侧，实现高效、纤薄外形尺寸离线AC-DC设计。8位MCU是嵌入处理PD协议、策略引擎和设备具有内置双相标记编码 (BMC)的策略管理器用于USB PD通信或其他专有协议（例如QC2.0/QC3.0）。
为了最大限度地减少外部元件，它集成了分流器调节器、电压和电流监测和控制电路阻断N-MOSFET。内置稳压器提供4.8V MCU 和外设在单电源下运行从 3.3 至 24V。
LD6612内部方块线路图:
LD6612恒流 (CC) 环路和电流检测放大器:
恒流调节与电流检测放大器，VBUS 电流受到限制时电流检测放大器的输出大于DAC 输出，当它是时，将引发电流限制标志在限流模式下。电流环路由第二个控制跨导运算放大器，感测电阻RSENSE和光耦合器。控制方程验证：
公式1
- a) RSENSE x ILOAD = VSENSE
- b) VSENSE = V 设置 /20
其中 Vsetting 是恒流的 FW 设置点。ILOAD 是所需的限制电流，VSENSE 是电流控制环路的阈值电压。应考虑 R sense 电阻满载期间通过它的最大耗散（P limit）。
公式2
Plimit = VSENSE x ILOAD
因此，对于大多数适配器和电池充电器应用中，四分之一瓦或半瓦电阻器是充足的。VSENSE 阈值由内部设定分压器与参考电压 (Vref) 相连。它是中点连接到电流的正输入控制运算放大器，其脚是连接到检测电阻的较低电位点如下图所示。该电压的电阻分配器相匹配以提供最佳的可能准确性。两个电流吸收输出跨导运算放大器很常见（至 IC 的输出）。 这使得开关（NMOS）功能，确保电压控制或电流控制，驱动光耦合器的光电二极管将反馈传输至原边。电缆压降补偿由于电缆电阻引起电压降，需要补偿电流（LCOMP）与连接到 VSEN 引脚的负载电流如下图所示。
输出部分的保护:
VCC 过压保护: 如果VCC引脚电压大于VCC的比率（VCC 的百分比，例如 130%），LD6612立即关闭阻塞 MOSFET 并让 OPTO引脚下降，直到 VCC 返回到 5V 默认值过流保护输出电流通过读取 10 位 ADC 来捕获。超过电流保护点和缓冲时间由软体设置。
短路保护: VBUS 对地短路时，VCC 将跨过 3.6V和3.1V。 同时，输出电流将使电流大于 FW 设定点且时间更长大于去抖时间，因此阻断 N-MOSFET可以关闭以进行保护。
热检测和保护: 外部NTC热敏电阻过温保护 (OTP) 是通过以下方式实现的比较器和电流源。当前来源为选定的引脚提供恒定电流并感测外部 NTC 热敏电阻上的电压。当温度高于 OTP 跳变点时由MCU设置，N_CTL引脚关闭阻塞 MOSFET 并产生中断单片机。 热敏电阻上的电压也可以读取
通过ADC。NTC热敏电阻建议使用200Kohm或100Kohm 25℃值。 OTP 跳闸点是可选择 95、105,115 和 125°C。芯片温度传感器过温保护 (OTP) 是通过以下方式实现的芯片温度传感器。 ADC检测电压在芯片温度传感器上。 当温度为高于 MCU 设置的 OTP 触发点设置，N_CTL 引脚关闭阻塞 MOSFET 并对 MCU 产生中断。
LD6612 USB Type-C控制器规格特性:
- 协议支持：USB PD2.0 和 PD3.0 (PPS)其他专有协议
- 具有 16kbyte OTP 的嵌入式 MCU 和256+384字节SRAM内置10位模数转换器（ADC）
- CC 和 CV 控制
- 快速放电输出电容
- 内置关断调节器
- 可编程电缆补偿
- 宽工作电压范围：3.3V~21V外部阻断 N-MOSFET 控制
- 支持待机省电模式
- 支持E-mark电缆的V CONN电源
- 可编程过压保护（OVP）
- 可编程过流保护（OCP）
- 可编程短路保护（SCP）过温保护（OTP）应用领域
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