1. 要求
为了降低开关损耗，栅极的开启和关闭应尽可能快。为了降低EMI干扰，栅极的开启和关闭应缓慢。
1.1 开启
开启时，FET电流较低，较慢的开启速度不会造成很高的开关损耗。
对于连续模式，由于输出整流管的Trr，快速开启将导致更高的尖峰电流，并且在输出整流管产生很高的尖峰电压。
对于断续或临界模式，FET开启时电流为零。所以开启速度可以比较慢。过快的开启将因为变压器的杂散电容而产生尖峰电流。
1.2 关闭
在关闭时，FET的电流较高，较快的关闭可以减少开关损耗，这可以提升效率。而因快速关闭带来的负效果可采用吸收或者钳位电路来解决。
2. 栅极驱动方法
通常情况下，IC不能靠FET太近。
在开启时栅极可通过一个电阻（10R~100R）被IC推高。在关闭时通常用一个小电阻（2.2R~10R）+PNP管来把FET栅极拉低，所以大部分FET栅极电流将流经PNP的小循环圈返回FET的S极。这降低了栅极驱动回路产生的EMI干扰。这个驱动电路必须考虑到
PWM-IC和PNP的峰值电流能力。