产品说明
EVSTGAP2GSN是一个半桥评估板，设计用于评估STGAP2GSN隔离单栅极驱动器。STGAP2GSN栅极驱动器具有2A源极和3A漏极能力以及轨对轨输出，使该设备也适用于中高功率逆变器应用，如工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器。该器件允许通过使用专用栅极电阻器来独立地优化导通和关断。该器件集成了包括热关断和UVLO在内的保护功能，并为增强型GaN晶体管提供了优化级别，从而实现了高效可靠的系统设计。双输入引脚允许选择信号极性控制并实现HW联锁保护，以避免控制器故障时的交叉导通。该器件允许实现负栅极驱动，板上隔离的DC-DC转换器允许在e型GaN晶体管的优化驱动电压下工作。EVSTGAP2GSN板允许评估驱动GaN晶体管SGT120R65AL 75 mΩ、650 V的所有STGAP2GSN功能。电路板组件易于访问和修改，使驱动器在不同应用条件下更容易进行性能评估，并对最终应用组件进行微调。
技术规格：
•板子特性
–半桥配置，高达650 V的高压。
–SGT120R65AL:650 V，典型75 mOhm，15A，e型PowerGaN晶体管
–负栅极驱动
–板上隔离DC-DC转换器，提供高侧和低侧栅极驱动器，由VAUX=5 V供电，最大隔离1.5 kV
–通过在板上3.3 V或VAUX=5 V提供的VDD逻辑电压
–驱动电压配置的跳线选择方便：+6/0 V；+6/-3伏
• STGAP2GSN特性
–1700 V功能隔离
–驱动器电流能力：25°C时2 A/3 A源/汇，VH=6 V
–分离的汇点和源极，便于栅极驱动配置
–输入输出传播延迟：45 ns
–针对GaN优化的UVLO功能
–栅极驱动电压高达15 V
–3.3 V，5 V TTL/CMOS输入，带滞后
–温度关闭保护
原厂介绍链接：EVSTGAP2GSN - Demonstration board for STGAP2GSN isolated single gate driver with e-mode GaN transistor - STMicroelectronics
评论