ST NPI 新上架产品【STGSH80HB65DAG】

车规级ACEPACK SMIT半桥拓扑,650 V, 80 A HB series IGBT with diode


产品说明

该器件将两个IGBT和二极管组成半桥拓扑,安装在一个非常紧凑、坚固的便于表面贴装的封装上。该器件是HB系列IGBT的一部分,在导通和开关损耗方面进行了优化,适用于软换向。每个开关都包含具有正向低压降的续流二极管。因此,该产品经过专门设计之后可以确保任何谐振和软开关应用的效率最大化。

产品特色

• 通过AQG 324认证

• 高速开关系列
• 最高结温:TJ = 175 °C
• IC = 80 A时,低VCE(sat) = 1.7 V(典型)
• 最小化尾电流
• 紧凑参数分布
• 低热阻归功于DBC基板
• 正温度VCE(sat)系数
• 软快速恢复反向并联二极管
• 隔离额定值3.4 kVrms/min



产品优势

• 模块化方法让器件紧凑且节省空间。

• 低开关损耗,提升效率。
• 顶部冷却式散热,散热效率高。
• DBC基板具有绝缘性能,有助于避免额外使用绝缘垫,并可延长爬电距离。
• SMIT封装,适用于快速和自动装配。

推荐应用

OBC DCDC converter




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技术文档

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参考来源

意法半导体官网: https://www.st.com/en/power-transistors/stgsh80hb65dag.html

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