英飞凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，创建行业新基准

作者：英飞凌官微

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS™ 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 DC-DC 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。

与 OptiMOS™ 5 25 V 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻R_DS(on)和 FOMQ_g/FOMQ_OSS ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 PQFN 3.3x3.3 mm²源极底置封装（带底部和双面散热型）、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 PCB 布局设计，以及紧凑的超小型PQFN 2x2 mm²封装。脉冲电流能力超过 500 A，R_thjc为 1.6 K/W。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势（如48:1 DC-DC 转换）提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。

主要特点

• 业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET

• 与 25 V 节点相比，R_DS(on) 达到新基准

• 出色的 FOMQ_g/ FOMQ_OSS

• 极低的寄生效应

• 提供标准和中心栅极引脚

• 可选双面散热型

 

主要优势

• 适用于高转换率DC-DC 转换器

• 降低导通/开关损耗

• 最佳开关性能和低过冲

• 源极底置中心栅极可优化并联电路布局

• 源极底置标准栅极可与现有PCB 布局轻松匹配

• 双面散热，提高散热性能

 

价值主张

• 适用于高比率 DC-DC 转换器：

  业内首款工业级 15V 垂直沟槽技术功率MOSFET

• 与 OptiMOS™ 5 25V 相比，R_{DS(on),max4,5} 降低 30%

• 出色的 FOMQ_OSS 和 FOMQ_g

• 紧凑的PQFN 2x2 mm²封装

• I_D（pulse）=516A，R_thJCmax=3.2K/W

• 双面散热PQFN 3.3x3.3 mm²源极底置封装：

  - 简化散热管理

  - 降低系统温度

• 提高功率密度

 

15V产品组合