本章专业名词：振铃、杂散电感、自举、米勒平台
一、什么是自举电路？自举电路有何作用？
以H桥为例，当右下MOS导通，左上MOS导通后，MOS管S极电压升压为VM,G极电压还是VM。Vgs为0，MOS管仅开通一瞬间变关闭，因此需要将MOS管G极与S极同时升压，以维持MOS管导通，故称自举。
二、自举电路的原理
如下是分立元件构成的自举电路，下面详细解释其工作过程。
1.当PWM为1时，Q1导通，之后，Q2导通，14V电源电压经过二极管与R4分压后，降压为12V作用在MOS管G极。三极管Q3，Vb>Ve,Q3导通。H桥左上MOS导通，S极电压被抬升到24V。之后，由于自举电容的电压不可突变特性，自举电容左端电压被抬升为24V+14V=38V，该38V经Q2、D2、R4通路作用到MOS管G极，抬升G极电压为38V，为此MOS管导通。
2.自举电容储能能力有限，经过步骤1后，如果一直给G极供电，电容电荷释放完后，MOS管G极重新回到12V，Vgs=0,MOS管关闭，自举电路失效。因此需要给自举电容充电。
一、什么是自举电路？自举电路有何作用？
以H桥为例，当右下MOS导通，左上MOS导通后，MOS管S极电压升压为VM,G极电压还是VM。Vgs为0，MOS管仅开通一瞬间变关闭，因此需要将MOS管G极与S极同时升压，以维持MOS管导通，故称自举。
二、自举电路的原理
如下是分立元件构成的自举电路，下面详细解释其工作过程。
1.当PWM为1时，Q1导通，之后，Q2导通，14V电源电压经过二极管与R4分压后，降压为12V作用在MOS管G极。三极管Q3，Vb>Ve,Q3导通。H桥左上MOS导通，S极电压被抬升到24V。之后，由于自举电容的电压不可突变特性，自举电容左端电压被抬升为24V+14V=38V，该38V经Q2、D2、R4通路作用到MOS管G极，抬升G极电压为38V，为此MOS管导通。
2.自举电容储能能力有限，经过步骤1后，如果一直给G极供电，电容电荷释放完后，MOS管G极重新回到12V，Vgs=0,MOS管关闭，自举电路失效。因此需要给自举电容充电。
3.当PWM为0时，Q1关断，之后，Q2关断。Q3的Vb=0，Ve=12V，故Q3导通。之后，MOS管Vgs=0，MOS管关断。电机电感呈感性，电流无法突变，故电流在H桥下回路流通，MOS管左下续流二极管导通，使自举电容负极性端电压为-0.7V。此时自举二极管失效，14V电源电压给自举电容充电。
4.自举电容充电完成后，重复1过程，整个PWM周期完成
三、注意事项
1.为了防止振铃产生，需要在G极串联20欧作用的电阻，同时并联反向二极管以加速MOS管关断。
2.为了减小米勒效应造成的MOS管发热，可在MOS管G极与S极直接并联10nf电容。
2.MOS管G、S极直接需要接下拉电阻，以防MOS管误导通。
3.自举电容应足够大
四、相关链接
有关振铃与米勒效应，此处不再赘述，相关链接如下：
1.振铃浅谈开关电源中的振铃 - 知乎 (zhihu.com)
2.米勒效应MOS管：臭名昭著的米勒效应 - 知乎 (zhihu.com)
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