一、简介
在 400V/800V 高压 BMS 中，需要使用多个 MC33774 检测 108S/216S 电池电芯状态，同时也需要 2/4 个 MC33772 去检测继电器、充放电路径上的高压参数。由此可见如此庞大的设备及数据，势必需要一个专门的路由来接管。MC33665 就是 NXP 特别设计的，可以获取菊花链路上复数个电芯检测单元信息，然后通过 SPI、CAN 等通讯方式与主控 MCU 交互。本文将会对 NXP HVBMS Demo 中使用到的双路 SPI（后面将会简称 DSPI）进行介绍。
二、DSPI 中控 MCU 配置说明
在目前的 DSPI 工程中，用户需要使用 EB Tresos 配置 S32K344 这类主控 SPI 组件。由于是 DSPI，所以在这里需要配置两路 SPI，一路作为主机只发送写命令、读请求；另一路作为从机，专门接收来自 MC33665 的响应。
而在 S32K3 的用户手册中，则说明了 LPSPI 在做从机时，其时钟是由外部主机提供的。
也就是说对于 EB 中 S32K344 从机 SPI 波特率的设置可能并不会被 S32K344 使用：
为了验证这一猜测，我们使用对应的 DSPI 工程进行验证，因为 S32K3 LPSPI 的波特率是针对 LPSPI 模组的功能时钟分频得到的，由于本人使用的是 LPSPI2 作为 MCU 从机：
所以时钟源是 AIPS_SLOW_CLK（此处使用的时钟为 40MHz）：
而实际波特率的计算需要结合 TCR 寄存器的 PRESCALE 以及 CCR 的 SCKDIV（CCR.SCKDIV = CCR1.SCKSET + CCR1.SCKHLD）共同计算得到：
所以如果要进行 SPI 通讯，势必会对上述寄存器进行更新，以 8MHz 为例，如果 AIPS_SLOW_CLK 为 40MHz，那么 TCR.PRESCALE = 0，CCR1.SCKSET= 2（CCR.SCKDIV ÷ 2 向上取整），CCR1.SCKHLD = 1（CCR.SCKDIV ÷ 2 向下取整），就能得到目标波特率。
将断点打在获取 MC33665 UID 的部分（已涉及到双路 SPI 的收发），可以观察到 S32K344 的主 SPI CCR1.SCKSET 以及 CCR1.SCKHLD 等值均有更新，但是从 SPI 确并没有更新。也就是说 EB Tresos 中 SPI 设为从机时，其波特率的设定是没有效果的，只是为了保证 EB 生成代码的时候不报错写一个数据上去。
为了进一步证实我们的结论，我们只需要更改 S32K344 从 SPI 波特率（从 8MHz 减为 2MHz），可以发现生成的配置代码是有更改的（40MHz ÷ 2^0 ×（18+2）=2MHz）：
在 400V/800V 高压 BMS 中，需要使用多个 MC33774 检测 108S/216S 电池电芯状态，同时也需要 2/4 个 MC33772 去检测继电器、充放电路径上的高压参数。由此可见如此庞大的设备及数据，势必需要一个专门的路由来接管。MC33665 就是 NXP 特别设计的，可以获取菊花链路上复数个电芯检测单元信息，然后通过 SPI、CAN 等通讯方式与主控 MCU 交互。本文将会对 NXP HVBMS Demo 中使用到的双路 SPI（后面将会简称 DSPI）进行介绍。
二、DSPI 中控 MCU 配置说明
在目前的 DSPI 工程中，用户需要使用 EB Tresos 配置 S32K344 这类主控 SPI 组件。由于是 DSPI，所以在这里需要配置两路 SPI，一路作为主机只发送写命令、读请求；另一路作为从机，专门接收来自 MC33665 的响应。
而在 S32K3 的用户手册中，则说明了 LPSPI 在做从机时，其时钟是由外部主机提供的。
也就是说对于 EB 中 S32K344 从机 SPI 波特率的设置可能并不会被 S32K344 使用：
为了验证这一猜测，我们使用对应的 DSPI 工程进行验证，因为 S32K3 LPSPI 的波特率是针对 LPSPI 模组的功能时钟分频得到的，由于本人使用的是 LPSPI2 作为 MCU 从机：
所以时钟源是 AIPS_SLOW_CLK（此处使用的时钟为 40MHz）：
而实际波特率的计算需要结合 TCR 寄存器的 PRESCALE 以及 CCR 的 SCKDIV（CCR.SCKDIV = CCR1.SCKSET + CCR1.SCKHLD）共同计算得到：
所以如果要进行 SPI 通讯，势必会对上述寄存器进行更新，以 8MHz 为例，如果 AIPS_SLOW_CLK 为 40MHz，那么 TCR.PRESCALE = 0，CCR1.SCKSET= 2（CCR.SCKDIV ÷ 2 向上取整），CCR1.SCKHLD = 1（CCR.SCKDIV ÷ 2 向下取整），就能得到目标波特率。
将断点打在获取 MC33665 UID 的部分（已涉及到双路 SPI 的收发），可以观察到 S32K344 的主 SPI CCR1.SCKSET 以及 CCR1.SCKHLD 等值均有更新，但是从 SPI 确并没有更新。也就是说 EB Tresos 中 SPI 设为从机时，其波特率的设定是没有效果的，只是为了保证 EB 生成代码的时候不报错写一个数据上去。
为了进一步证实我们的结论，我们只需要更改 S32K344 从 SPI 波特率（从 8MHz 减为 2MHz），可以发现生成的配置代码是有更改的（40MHz ÷ 2^0 ×（18+2）=2MHz）：
/* Lpspi_Ip_DeviceAttributes_SpiExternalDevice_RX_VS_0 Device Attribute Configuration of Spi*/
const Lpspi_Ip_ExternalDeviceType Lpspi_Ip_DeviceAttributes_SpiExternalDevice_RX_VS_0 ={
2U, /* Instance */
(uint32)(LPSPI_CCR_SCKPCS(79U) | LPSPI_CCR_PCSSCK(79U) | LPSPI_CCR_SCKDIV(18U) | LPSPI_CCR_DBT(14U)), /* CCR */
/* Normal Mode TCR */
(uint32)LPSPI_TCR_WIDTH(0U) | (LPSPI_TCR_CPOL(0U) | LPSPI_TCR_CPHA(1U) | LPSPI_TCR_PRESCALE(0U) | LPSPI_TCR_PCS(0U) | LPSPI_TCR_CONT(1U)) /* TCR */
#if (STD_ON == LPSPI_IP_HALF_DUPLEX_MODE_SUPPORT)
/*HalfDuplexCfgr1*/
, LPSPI_CFGR1_OUTCFG(1u) | LPSPI_CFGR1_PINCFG(1u)
#endif
,&Lpspi_Ip_DeviceParamsCfg_VS_0[1U]
};
但是，该配置代码并没有写入到实际的寄存器中，S32K344 是基于 MC33665 的 8MHz 时钟频率进行数据解析的：
并且也能够抓取到单节电池 0.8V（测试环境）：
如此一来已经基本说明，在 Slave 模式下，EB 波特率设置是不会写入 S32K3 寄存器的，数据接收依靠外部 MC33665 提供时钟参考。其实我们可以再狠一点，调整一下 MC33665 SPI 时钟，看看 S32K3 不变是否能够正确解析 SPI Response。
不过在 EB 中，MC33665 DSPI 作为主机时的 SPI 波特率只有两种选择：
如果我们需要修改其他值可以在生成的配置文件 CDD_Phy_665a_Cfg.c 中调整 SYS_SPI_CFG 的数值：
对于 MC33665 使用内部 RC 的情况，其 SPI 频率就是 48MHz ÷ RSPSPIDIV，所以只需要将其从原本的 0x6 修改成 0xC 即可：
{
.unsigned_access = 0xC01 /*Sys_Spi_Reg*/
},
结果，S32K3 依然能够获取正确的 MC33665 回传的 UID。
综上所述， Slave 模式下，EB 波特率设置是不会写入 S32K3 寄存器的，数据接收依靠外部 MC33665 提供时钟参考。
三、参考文档
[1] ds686430 - MC33665A Datasheet (3.0).pdf
[2] S32K3xx Reference Manual Rev. 8, 01/2024
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