作者：英飞凌工业半导体
产品特点
• 针对低电感设计进行了优化
• 扩展运行温度
• TVjop=175°C
• 与IGBT4相比，输出电流增加了25%以上
• 铜键合线可实现大电流承载能力
• 烧结芯片，实现最高功率循环能力
• 总损耗减少达20%
• 封装的CTI>400
应用价值
• 易于并行，因此可扩展电流
• 单一封装，适用于多种应用和不同功率等级
产品特点
• 针对低电感设计进行了优化
• 扩展运行温度
• TVjop=175°C
• 与IGBT4相比，输出电流增加了25%以上
• 铜键合线可实现大电流承载能力
• 烧结芯片，实现最高功率循环能力
• 总损耗减少达20%
• 封装的CTI>400
应用价值
• 易于并行，因此可扩展电流
• 单一封装，适用于多种应用和不同功率等级
• 极其坚固可靠
• 单个模块的功率更高
• 减少功率单元的数量
• 减小对冷却要求
• 降低系统成本
• 低IGBT Eoff损耗
• 减少维护工作量
应用领域
• 风力发电
• 牵引
• 太阳能
• 储能
• 电机控制和驱动
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