1. 前言
这款具备 80V 耐压与仅 1.1mΩ 导通电阻（RDS(on)）的 N 通道 MOSFET，是专为中低电压环境设计的高性能电源开关元件。
它的极低导通电阻与高电流承载能力，使其在功率转换与分配上表现出色，特别适合用于提升系统效率与降低热损耗。
此类 MOSFET 的应用范围广泛，涵盖汽车电子（如 12V / 24V / 48V 系统）、锂电池模块的电源管理（12V、24V、48V）、电机控制（包括48V BLDC、PMSM及有刷直流电机）、可再生能源与储能系统（24–48V模块），以及高性能消费类与计算设备（如服务器、电竞笔记本和台式机的功率级设计）。
安森美半导体最新推出采用 T10 技术的 80V 功率 MOSFET——NTBLS1D1N08X，具备业界领先的开关应用品质因数(FOM)。专为高性能电源系统而设计。该元件具有极低的导通电阻和更小的输出电容，有效降低导通和切换过程中的能量损耗，进一步提升整体系统效率。
2. 产品特色
► 低QRR、软恢复二极管
► 低RDS(on)，最大程度降低导通损耗
► 低 QG 和电容，最大程度降低驱动器损耗
► 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，且符合 RoHS 规定
3. 内部方框图
4. 设计利益
► 80V额定值：为48V系统提供充足的裕量（在瞬态期间可突波至约60V）
► 1.1 mΩ超低RDS（on）：最大限度减少导通损耗
► 高电流能力：大型铜夹和宽汲极/源极焊盘允许连续电流高达299 A
► 超低寄生：TOLL 8L封装的电感非常低（典型值 <1 nH）
► 优异的热性能：低 RθJC（0.76 °C/W），高效散热到 PCB
► 紧凑、低轮廓：支持高密度电路板设计
► 表面贴装封装（SMT）：可回流焊接，与自动化PCB组装兼容
► 开尔文源极引脚：在高 dv/dt 下，最大限度地减少栅极回路噪声和误触发
5. 结语
安森美半导体推出的NTBLS1D1N08X采用超低导通电阻（RDS(on））与卓越的品质因数（FOM），在降低功耗与提升系统整体效率方面展现出色性能。这使其成为低侧开关与同步整流应用的首选元件，特别适合用于汽车电子、服务器电源以及工业控制等对性能与可靠性要求极高的领域。
其采用的 TOLL 8L 封装是一种先进的功率半导体封装技术，专为高电流、低电压 MOSFET 而设计。低热阻（RθJC）在有限空间内提供出色的散热能力，通过底部冷却方式实现高密度电路板布局。相比传统的 TO-220 或 TO-247 通孔封装，TOLL 8L 不仅节省空间，更有助于提升系统的热管理与整体设计灵活性。
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