本篇幅主要为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍