IGBT模块厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。一般常见的测试的项目如下图所示。            这个报告里的测试项目，除了ESD静电测试以外，都是和IGBT模块的寿命相关的。寿命相关测试可以分成两部分，一部分是对于芯片本身寿命的考核，另一部分是对机械连接的考核

本篇幅主要为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍

引言 可靠性，是指产品在规定时间内和条件下完成规定功能的能力，是产品质量的重要指标，如果在规定时间内和条件下产品失去了规定的功能，则称之为产品失效或出现了故障。 可靠性测试项目的科学性、合理性，抽样和试验的规范性以及严谨性，对产品的环境寿命和质量水平的评估、研发的改进升级、产品迭代以及客户导入和应用

RS1905/RS1920是一款低功耗、高抗噪性的RS-485半双工收发器，它的数据速率分别为0.5Mbps/20Mbps，可使用在高噪声环境，总线I/O ESD保护：±20kV HBM，无需使用其他系统级ESD保护组件，此外该器件共模电压范围-7至+12V，支持多达 256 个总线节点，适用于长电

作者：英飞凌工业半导体 程中奇 通常在考量一款产品时，除了如性能参数等的硬性指标，我们还经常会想知道它的“质量、可靠性”究竟如何。那么问题来了，这些名词看似耳熟能详，但究其具体的定义呢，是不是有那么一丢丢一知半解？其实啊，一般是指制造商生产出来的某种产品的质量，包括产品的稳定性、用户体验、可靠性、性

作者：英飞凌工业半导体 在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。 下文所述，主要以英飞凌工业

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一、定义压力感测         压力感测可认为是输入或控制功能，通过一定的外力（无论强弱）来实现功能。优点是可以避免误报，扩大输入可能性，例如与菜单选择相结合。 压力感测广泛用于触摸唤醒，执行其他功能的前几代智能手机。智能手机制造商使用压力敏感静态区。主页按钮取代机械按钮的动作，提供触觉反馈，使用