一、简介         在上一篇的介绍中与大家分享了Micro Inverter ( 微型逆变器 ) 的用途与特色，也提到 Micro Inverter 适合家庭或是一些小型企业的需求。太阳能作为再生能源的代表，在当今能源转型中扮演着重要角色，也是有大型企业、大型能源站的需求，太阳能逆变器（Pho

作者：英飞凌工业半导体　高铭 作者简介 高铭，高级工程师，来自英飞凌技术支持中心团队。该团队负责7*24小时解答英飞凌开发者论坛中用户提出的技术问题，为客户提供高效专业的技术支持和解决方案。 Q：在IGBT器件的开通过程中，栅极电荷Qg的充电过程是怎样的？ A：IGBT器件例如IKZA50N65EH

SiC MOSFET作为第三代功率半导体，由于具有卓越的开关速度、超低的Qrr、高温下极低的Rdson损耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的应用场合中表现出极佳的 性能。 SiC MOSFET目标应用包括工业马达驱动、太阳能逆变器、高功率SMPS和eV充电桩。 SiC MOSFET“Q”系列产

ACEPACK 1电源模块，四单元拓扑，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，带NTC 产品说明 该电源模块采用四单元拓扑，内置ACEPACK 1 模块和NTC，并集成了意法半导体最先进的第2代硅碳化MOSFET。这种模块化解决方案可用于实现功率密度非常高的复杂拓扑，从而

一、简介 Micro Inverter ( 微型逆变器 ) 是太阳能系统中关键的一环，用于将太阳能模组产生的直流电转换为交流电。相较于传统的PV Inverter ( 集中式逆变器 )，Micro Inverter 拥有一些独特的特点和优势。 Micro Inverter 的独立运作特性使每个太阳能

安森美在碳化硅领域有着深厚的历史积淀，是少数具有垂直整合能力的SiC方案供应商之一，包括SiC晶锭生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。宽广的SiC功率器件阵容包括650/1200/1700 V SiC二极管、650/900/1200 V SiC MOSFET、集成IGB

高带宽（20 MHz）低失调（200µV）轨到轨5V运算放大器 产品说明 TSV771是一款双20 MHz带宽单位增益稳定放大器。TSV771拥有轨到轨输入级和10.5 V/µs的转换速率，因而成为低侧电流测量的理想之选。凭借200 µV的最大输入电压，可获得高度精确的测量结果，从而精确放大smal

当前，“智能”产品已成为电子系统开发中的热门话题，尤其是对于其相关解决方案性能和功能的关注高涨。在激烈竞争及消费者期望双重重压下，市场上的产品必须通过现代技术和工艺尽可能地完美展现其功能。 从新型半导体材料到人工智能等先进解决方案，新技术和新方法正在创造新的应用场景，同时也带动了原有应用的再创新。而

近来，Chat GPT火爆全球，成为各行各业的讨论对象。 作为IC领域的行业人，我们比较关心的是行业的未来。 于是乎，凑热闹，问了chat GPT三个问题。 1问：氮化镓的未来？ 氮化镓 （GaN） 作为继硅和氮化铝之后的第三代半导体材料，具有高功率密度、高运行频率、高工作温度、高线性度以及高光电转

高频宽（20 MHz）5V运算放大器 产品说明 TSV771是双20 MHz带宽单位增益稳定放大器。轨到轨输入级和10.5 V/µs的转换速率使TSV771成为低侧电流测量的理想选择。200 µV的最大输入电压提供高精度，允许精确放大smallamplitude输入信号。 TSV771可以在2.0