在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微

在功率元件中Si 材料之Power mos 已发展30多年，目前在电源产品上被广泛使用中。 功率元件是离散元件的一个重要分支，可分为功率离散元件、功率模组和功率IC三大类。功率元件是进行电能(功率)处理的核心元件，用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。其应用领域极其广泛，几乎涵盖汽车电子、工

作者：英飞凌官微 智能设备不仅让我们的生活变得更加轻松和便捷，还能帮助我们实现健康的生活。英飞凌科技的半导体解决方案正在通过多种方式使物联网（IoT）成为健康生活方式中的关键组成部分。 到2050年，全球60岁以上的人口将超过20亿。同时根据世界卫生组织的数据，80岁以上的人口将是现在的三倍。医疗保