作者：英飞凌工业半导体 用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板，该功率板带有额定电压为160V的2ED2748S01G（3x3 10引脚DFN封装）半桥栅极驱动器，可驱动12个额定电压为100V的OptiMOS™ MOSFET IPTC015

motor driver电机驱动作为现代工业的核心技术之一，其性能和技术方案的优劣直接关系到设备的运行效率、稳定性和可靠性。随着科技的不断进步和应用需求的日益提高，motor driver电机驱动方案也在不断发展和创新。 技术创新：能效提升与环保理念 在motor driver电机驱动方案中，能效提

Mini-LED作为高端显示的一种背光驱动方案，从业者们一直探索更优化的背光驱动方案，在当前的产品中，主要存在两种驱动方案PM（被动矩阵式驱动）和AM（主动矩阵式驱动），后续将为大家简述一下其中的差异。 一  PM驱动（Passive Matrix ）       PM驱动（被动矩阵式驱动）也称无源

以中大尺寸LCD产品为例子，在LCD产品验证阶段开关机闪屏是一种较为常见的问题。 导致此类问题的原因一般和GOA时序和driver开关机时序具有相关性，本文也主要介绍这两种时序导致开关机闪屏的原因。 对于LCD显示原理简单来说，就是GOA逐行打开panel AA区TFT，driver IC再向当前打

一. 引言 MC33XS2410 是一个四通道自保护高侧开关，工作电压为 3.0 V 至 60 V，由 SPI 接口控制，用于输出的配置、监控和诊断。当与 MCU 的通信丢失时，该设备进入安全模式，仍保持运行，具有可控和受保护等优点。以下将会对这颗芯片进行详细介绍，具体包括这颗芯片的主要特性、芯片引

         绝缘门极双极型晶体管（IGBT）是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动电路简单、饱和压降低、耐压高电流大等优点，因此现今应用相当广泛。但是IGBT良好特性的发挥往往因其门级驱动电路上的不合理，制约着IGBT的推广

配备嵌入式STM32 MCU的250/600 V三相BLDC控制器 产品说明 STSPIN32G0高压版本中包含了型号齐全的STSPIN32三相电机控制器的新组件。该器件将先进的250V/600V栅极驱动器的出色性能与主流版本的STM32 (STM32G031C8) 进行了融合。独立的10x10 Q

作者：英飞凌工业半导体　赵佳 在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。 但在特定的电机应用中，SiC仍然具有不可比拟的优势，他们是： 1 低电感电机 低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、

作者：英飞凌工业半导体 碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023 IPAC英飞凌工业功率技术大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对Si

作者：英飞凌工业半导体　郑姿清，李想 / 引言 / 对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。 ➊对导通损耗的影响 无论是MOSFET还是IGBT，