Pcore™2 E2B封装 1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模块 BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮

IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管（FWD）构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管（SBD）。 材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。 在本篇文章中我们将重点阐述