Enhance mode有二种驱动方式，其中Ohmic gate为电流驱动的方式，在GaN MOSFET的内部结构为当顺向导通时为电阻与diode串联，diode电压降约为3.5V。而当反向导通时则由3个diode来做串接，约为-10V左右。当Vgs达到Vgs,th时，GaN MOSFET开始流过电

下面图示为2000年到2020年CoolMOS发展的历程，其中关键品质因素(Rds-on与面积乘积)越小，表为MOSFET的制程能力与产品特性越好。在2008年有人提出Si材料制程的关键品质因素的极限为0.5，由于Si材料制程的发展有其限制，要让关键品质因素可以更进一步的降低，就必须发展出新的半导体

一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关