作者：英飞凌工业半导体 产品特点 工作电压高达+650V 采用英飞凌SOI技术 负压VS瞬态抗扰度为100V 集成式低欧姆自举二极管 专为自举电路设计 最大电源电压为25V 欠压锁定(UVLO)功能 200ns传播延迟 VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V -5V输入端的负电压容差 应用价值 降

作者：英飞凌工业半导体 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。C

1. 前言 电源ORing技术是一项关键的电源管理技术，常被应用于保障系统不受电源故障或中断的影响。它的核心原理是利用多个电源供应器并联提供电能，当其中一个电源失效时，其他电源会自动接管，确保系统持续运行。同时，这项技术也提高了电源ORing应用的效率和性能。 安森美半导体推出理想二极体/ORing

什么是车载OBC 车载充电机（On-board charger）简称 OBC，也称为车载充电器，顾名思义就是固定在电动汽车上的充电器，具有对电动汽车动力电池安全、自动充电的能力，主要应用于必须“插电”充电的电动汽车，如纯电动汽车（BEV，纯电池驱动）和插电式混合动力汽车（PHEV）。新能源电动汽车的

SiC MOSFET与STM32G4电动汽车充电30KW方案 ★ 研讨会内容：   介绍基于STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充电桩模块电源的整体解决方案，包含前级三相VIENNA整流和后级三相交错LLC, 可实现高效率（整机峰值效率96.6% ，满载效率96%）和宽输出电压范围（2

作者：英飞凌工业半导体 方洁 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。 功率电路寄生电感在哪里？ 图1给出了半桥电路中不同位置寄

作者：英飞凌官微 英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（P

-新一代DTMOSVI系列的新成员，具有超级结结构-         中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著

Pcore™2 E2B封装 1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模块 BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮