Enhance mode有二种驱动方式，其中Ohmic gate为电流驱动的方式，在GaN MOSFET的内部结构为当顺向导通时为电阻与diode串联，diode电压降约为3.5V。而当反向导通时则由3个diode来做串接，约为-10V左右。当Vgs达到Vgs,th时，GaN MOSFET开始流过电

一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关

ACEPACK SMIT - 表面贴装绝缘型顶部冷却封装，60A 1200V SCR可控桥臂 产品说明 STTN6050H-12M1Y适用于设计紧凑的车载充电器（OBC）、充电站，以及最高50 kW和480VAC的UPS。Acepack SMIT封装保证4 kV的绝缘能力和4 mm的散热器爬电距离，

ACEPACK SMIT -表面贴装绝缘型顶部冷却封装，面向OBC的75A 1200V SCR可控桥式整流器C 产品说明 STTD6050H-12M2Y适用于设计紧凑的车载充电器（OBC）、充电站，以及最高50 kW和480VAC的UPS。Acepack SMIT封装保证4 kV的绝缘能力和4 mm

邪恶的一面我们称:“魔鬼藏在细节里”; 善良的一面我们称:“天使藏在细节里”。   不管之前有没有被魔鬼陷害到---尤其是低压控制的领域，今天鱼干我要讲的是细节里的天使，希望可以让被魔鬼挖坑跳进去的哈味(Hardware)工程师门可以爬出魔鬼挖的坑。其实这个坑是很多人都知道的，只是不晓得如何巧妙避开

一般提到的WBG产品，通常泛指为GaN与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关连，因此SiC FET为高耐压产品。SiC FET在

常见的的功率器件不外乎就是BJT, MOSFET, IGBT……这三种，这些功率器件很难直接用MCU或Control IC驱动，因此通常会在主控IC 与功率元件中间插入一驱动电路(Gate Driver 文后简称GD)，加入GD的好处是增加驱动的能力，将功率从主控IC分离出来，同时也可以起到缓冲的作