一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关

一般提到的WBG产品，通常泛指为GaN与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关连，因此SiC FET为高耐压产品。SiC FET在