作者经常遇到许多研发工程师寻问功率MOSFET的SOA曲线有关的问题，如有些做电源的研发工程师，电源结构为反激或BUCK降压变换器，他们测量到功率MOSFET的电压和电流波形，然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间，在SOA曲线中描出对应的工作点，来校核工作点是否在SOA曲线的范围内，以此来判断功率

下面图示为2000年到2020年CoolMOS发展的历程，其中关键品质因素(Rds-on与面积乘积)越小，表为MOSFET的制程能力与产品特性越好。在2008年有人提出Si材料制程的关键品质因素的极限为0.5，由于Si材料制程的发展有其限制，要让关键品质因素可以更进一步的降低，就必须发展出新的半导体

作者：英飞凌工业半导体 周明 IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。 在上篇《IGBT单管数据手册参数解析——上》中，我们介绍了IGBT的命名、最大额定值及静态参数。今天

作者：英飞凌工业半导体  邱玉强 安全工作区(SOA)定义为IGBT可以预期在没有自损坏或退化的情况下工作的电流和电压条件，分为正向偏置和反向偏置安全工作区（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作区(FBSOA)定义了IGBT开启期间的可用电流和电压条件。反向偏置安全工作区(RBSOA)定义了I

SiC FET的导通阻抗Rds-on值会受到不同Vgs电压的影响。在相同的温度条件下，较高的SiC FET Vgs电压会有较低的Rds-on值，可以进一步减少conduction loss， 因此在效率的表现上也会比较好。Infineon的SiC FET在Vgs建议电压设计为15V~18V之间。 I

作者：英飞凌工业半导体 作为电力电子研发工程师，最不想见到的画面之一一定有下面这样的图片，完了，BBQ了…… 图1.IGBT单管和模块的典型失效图片 失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的

我们这堂课来讲讲电源结构最重要的其中一个元件—功率开关元件。 大功率的开关元件例如BJT、IGBT、MOSFET…等，都有所谓的SOA(Safe Operating Area安全操作区域)、是用来评估大功率的开关元件操作是否安全可靠的判断机制， 甚至当大功率的开关元件发生损坏时，也是透过SOA的计算