Enhance mode有二种驱动方式，其中Ohmic gate为电流驱动的方式，在GaN MOSFET的内部结构为当顺向导通时为电阻与diode串联，diode电压降约为3.5V。而当反向导通时则由3个diode来做串接，约为-10V左右。当Vgs达到Vgs,th时，GaN MOSFET开始流过电

DC-DC输出电压的计算公式是：VOUT= VFB X (1+RA/RB)。但是，我们在选择反馈电阻时，有没有考虑过在RA/RB比值相同的情况下，RA和RB取值到底是选大些的好还是小些的好? 下面举一个实例，客户试产一个采用MediaTek的车机方案，出现的问题就是开机经常启动失败，电源部分电路如下

一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关

一般提到的WBG产品，通常泛指为GaN与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关连，因此SiC FET为高耐压产品。SiC FET在