增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。 产品型号： FF17MR12W1M1H_B11 17mΩ 1200V FF17MR12W1M1H_B70 17mΩ 1

Enhance mode有二种驱动方式，其中Ohmic gate为电流驱动的方式，在GaN MOSFET的内部结构为当顺向导通时为电阻与diode串联，diode电压降约为3.5V。而当反向导通时则由3个diode来做串接，约为-10V左右。当Vgs达到Vgs,th时，GaN MOSFET开始流过电

下面图示为2000年到2020年CoolMOS发展的历程，其中关键品质因素(Rds-on与面积乘积)越小，表为MOSFET的制程能力与产品特性越好。在2008年有人提出Si材料制程的关键品质因素的极限为0.5，由于Si材料制程的发展有其限制，要让关键品质因素可以更进一步的降低，就必须发展出新的半导体

一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关

SiC FET的导通阻抗Rds-on值会受到不同Vgs电压的影响。在相同的温度条件下，较高的SiC FET Vgs电压会有较低的Rds-on值，可以进一步减少conduction loss， 因此在效率的表现上也会比较好。Infineon的SiC FET在Vgs建议电压设计为15V~18V之间。 I

一般提到的WBG产品，通常泛指为GaN与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关连，因此SiC FET为高耐压产品。SiC FET在

提供所需的功率水平以安全高效地实现更快的电动汽车(EV)充电和支持加速采用并非易事。基于硅的开关器件的进一步显著改进变得越来越具有挑战性，领先的半导体器件制造商如安森美半导体正采用新材料提供具有电动汽车快速充电所需性能的方案。所谓宽禁带(WBG)材料，包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，都在电动

我们持续面临全球气候形势的恶劣现状-我们的新闻推送充斥着火灾、洪水和极端天气，所有这些都归因于气候变化。形势显然令人担忧，个人、政府和游说团体都在倡导大幅减少化石燃料使用——或者完全禁止使用。但如果没有适当技术能够高效地提供能源且价格与现有技术价格相当，许多政府支持的推行太阳能发电的举措就不可能完全