作者：英飞凌官微 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET         全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的

作者：英飞凌官微         随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出

       中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”，低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。        截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产

        杭州士兰微电子股份有限公司坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月，总部在中国杭州。2003年公司股票在上海证劵交易所挂牌，是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。受益于中国电子信息产业快速成长，

作者：英飞凌工业半导体　赵佳 得益于宽禁带半导体的材料优势，SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同，对驱动设计也提出了更高的要求。为了最大化利用SiC MOSFET的性能优势，驱动芯片的选择需要着重考虑如下几个方面： 01. 更高的轨到

经常有研发工程师和器件工程师问到这样的问题：两个不同公司的功率MOSFET管，耐压和导通电阻基本相同，标称的电流也相同，该如何判断哪一个功率MOSFET管的雪崩能量更高，雪崩能力更强？ MOSFET A   测试条件：起始结温TJ=25°C，电感L=0.1mH，IAS=30A，EAS=45mJ。 M

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出两款 aMOS5™ 600V FRD 超结 MOSFET。aMOS5™ 是 AOS 经过市场和应用验证的高压 MOSFE

作者：英飞凌官微 产品特点: 用于62mm，2kV CoolSiC™沟槽栅MOSFET模块的半桥驱动板 驱动有独立的拉电流和灌电流管脚，便于优化栅极驱动 驱动IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列数字电路，带I2C总线，用于参数调整 硬件欠压锁定(UVLO)保护 应用价值

        东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已开始量产适用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1200V、漏极电流（DC）额定值为400A的SiC MOSFET模块“MG400Q2YMS3”，扩大了其产品线。         新产品MG400Q2YMS3的漏极-源极导通电压（感应）

作者：英飞凌工业半导体 600V CoolMOS™ S7T集成温度传感器，提高了结温测量的精度和鲁棒性，同时容易使用。该器件针对低频和大电流开关应用进行了优化，它是固态继电器、固态断路器和SMPS中有源整流电路的理想选择。集成温度传感器提供CoolMOS™ S7结温测量功能，提高了器件利用率。 产品