新品 CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ， 2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块 XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP™ 2封装，采用.XT互联技术 产品型号： ■ FF2000UXTR33T2M1      1.9mΩ 3.3kV ■ FF2

新品 可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特

EVAL-iSSI30R12H用于评估应用电路中的英飞凌iSSI固态隔离器iSSI30R12的产品的功能。评估板为交流固态开关配置，使用iSSI30R12H驱动两个CoolMOS™ IPT60T022S7 MOSFET，可以直接测量带温度传感器CoolMOS™ S7T温度。 产品型号： EVAL-i

采用CoolSiC™ MOSFET和高性能AlN DCB的Easy模块，用于功率高达12千瓦的光伏混合逆变器。   相关产品： ▪ FS3L40R07W2H5F_B70 EasyPACK™ 2B 650V、40A三电平NPC1全桥IGBT模块，配有CoolSiC™肖特基二极管650V、TRENCHS

新品 第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V  SiC MOSFET D²PAK-7L封装 采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。 第二代产

EVAL-iSSI30R11H用于评估应用电路中的英飞凌iSSI固态隔离器iSSI30R11的产品的功能。评估板为交流固态开关配置，使用iSSI30R11H驱动两个CoolMOS™ IPQC60R010S7 MOSFET，温度采样外接PTC。 产品型号： EVAL-iSSI30R11H评估板 所用器

机电继电器和断路器作为一种成熟的技术已广为人知，大量应用在各种场合，但是它们仍然存在一些固有缺陷。尽管采用基于半导体的固态技术可以解决这些问题，但设计中又会面临一系列挑战。到底，什么才是正确的解决方案呢？ 目前，高压继电器和断路器大部分都是机电式的。 除了人们百年来已经习惯使用继电器和断路器外，工程

新品 采用2000V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块系列新增5.2mΩ新规格。其采用了M1H芯片技术，模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。   相关产品 FF5MR20KM1H (P) 5.2mΩ， 2000V 6

前言： 在之前的文章，小编有提到继电器和 MOS 都可以用作 BMS（电池管理系统） 中控制电池充放电的开关。相比继电器，MOS 管在开关应用中具有更快的速度、更小的体积、更低的功耗、更高的可靠性、更少的噪声以及更长的耐用性。MOS 管可以根据导通方式、结构、材料、电流方向和应用进行分类，包括增强型

1. 断开开关当今面临的挑战 现代车辆电气系统的结构变得越来越复杂。这是由于负载数量的增加，从铅酸电池转变为锂离子或其他类型电池，以及对失效可操作等功能安全措施的需求。这些因素使得电池和负载隔离开关的使用也在增加，MOSFET成为了首选的大负载开关。为了实现稳态操作的主开关所需的通态电阻，通常会并联